技术编号：6938477
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制作领域，尤其涉及。 背景技术随着集成电路尺寸的减小，构成电路的器件必须更密集地放置，以适应芯片上可 用的有限空间。由于目前的研究致力于增大半导体衬底的单位面积上有源器件的密度，所 以电路间的有效绝缘隔离变得更加重要。浅沟槽隔离(STI)技术拥有多项的工艺及电性隔离优点，包括可减少占用晶圆 表面的面积同时增加器件的集成度，保持表面平坦度及较少通道宽度侵蚀等。因此，目前 0. 18 μ m以下的元件例如MOS电路的有源区隔离层已大多采用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。