技术编号:6938549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及防止半导体器件受等离子体损伤的制造工 艺。背景技术集成电路的制造需要根据指定的电路布局在给定的芯片区域上形成大量的电路 元件。考虑到操作速度、耗电量及成本效率的优异特性,COMS技术目前是最有前景的用于制 造复杂电路的方法之一。在使用COMS技术制造复杂的集成电路时,有数百万个晶体管(例 如,N沟道晶体管与P沟道晶体管)形成于包含结晶半导体层的衬底上。不论所研究的是N 沟道晶体管还是P沟道晶体管,MOS晶体管都含有所谓的P...
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