技术编号:6938725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子与固体电子学。尤其涉及一种混晶材料制备方法及用 该材料制备的半导体器件。背景技术混合晶向半导体材料是一种新型的半导体材料,该种材料应用于集成电路工艺 中是基于以下认识载流子的迁移率在同一材料的不同的晶向上会有所不同。比如在硅 (110)晶向的空穴迁移率大约是(100)晶向上的空穴迁移率的2倍。对于在(110)面上制作 的40nm长pMOSFET而言,可以获得电流驱动提高45%的结果;然而,(110)面上的nMOSFET 则会降低35%。因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。