技术编号:6938738
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件,具体涉及一种肖特基隧穿晶体管(Schottky TFET),本发明同时还涉及一种肖特基隧穿晶体管的制备方法。背景技术近年来,以硅集成电路为核心的微电子技术得到了迅速的发展,集成电路芯片的 发展基本上遵循摩尔定律,即半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。可是随 着半导体芯片集成度的不断增加,MOS晶体管的沟道长度也在不断的縮短,当MOS晶体管的 沟道长度变得非常短时,短沟道效应会使半导体芯片性能劣化,甚至无法正常工作。 如今...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。