技术编号:6939744
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LDMOSdaterally diffused M0S,横向扩散MOS晶体管)器件。 背景技术请参阅图1,这是现有的LDMOS的剖面示意图。在ρ型衬底10上具有η型埋层11, 再往上则是η阱12。η阱12的深度通常大于2 μ m,也称为深η阱。η阱12中有多个隔离 区13,这些隔离区13将η阱12中的η阱171和ρ阱172相互隔离。η阱171中具有η型 重掺杂区181,作为LDMOS器件的漏极。ρ阱172中具有η型重掺杂区182和ρ型重掺杂区...
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