技术编号:6939749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制集成电路工艺方法,尤其是涉及一种DDDMOS器件的制造方法。背景技术DDDMOS (Double Diffused Drain M0SFET)器件即为双扩散漏高压 MOSFET 器件的 简称,是一种常用的横向高压MOS器件。如图1所示,为现有N型DDDMOS器件的结构示意 图,包括在一衬底上形成有一 N型埋层,在所述N型埋层上形成有一 N型外延层;在所述N 型外延层中形成一P阱,以该P阱作为器件的沟道区;在所述沟道区中形成一N+的源区...
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