技术编号:6940515
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法,特别是有关于深沟渠接触结构及 其制造方法。背景技术于现今半导体技术中,为了达成单芯片系统(single-chip system)的操作,将控 制器、存储器、低压操作的电路以及高压操作的功率元件高度整合至单一芯片上,其中功率 元件的研发种类包含有垂直式双扩散金属氧化物半导体晶体管(VDM0Q、绝缘栅极双载子 晶体管(IGBT)、横向式功率晶体管(LDM0Q等几种,其研发目的在于提高电源转换效率来 降低能源的损耗。由于...
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