技术编号:6941227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,尤其涉及一种静态随机存取存储单元(static random access memory cell, SRAM cell)及其制造方法。背景技术静态随机存取存储器(static random access memory,以下简称SRAM)是适用于 高效率独立存储装置或埋入式存储装置的一种可靠且经验证的技术。SRAM的优点在于快速 的读取速度、低耗能、高噪声容限(noise margin)以及相容于公知互补型金属氧化物半导 体(CM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。