技术编号:6941756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其涉及一种可减小器件尺寸的ESD器件。 背景技术随着集成电路制造工艺水平进入集成电路线宽的深亚微米时代,集成电路中的 MOS元件都采用LDD结构(Lightly Doped Drain),并且硅化物工艺已广泛应用于MOS元件 的扩散层上,同时为了降低栅极多晶的扩散串联电阻,采用了多晶化合物的制造工艺。此外 随着集成电路元件的缩小,MOS元件的栅极氧化层厚度越来越薄,这些制造工艺的改进可大 幅度提高集成电路内部的运算速度,并可提高电路的...
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