技术编号:6941814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及互补金属氧化物半导体器件结构的制作方法。背景技术在半导体器件微型化、高密度化、高速化、高可靠化和系统集成化等需求的推动下,半导体器件的最小特征尺寸也从最初的1毫米发展到现在的90纳米或60纳米,并且在未来的几年内将会进入45纳米及其以下节点的时代,若不改变半导体器件的组成成分和结构,仅单纯的按比例缩小半导体器件会因其漏电过大而变得不可行,所以半导体器件在按比例缩小的同时会改变一些构件的成分或结构来减小漏电。例如,当半导体器...
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