技术编号:6942348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置和其制造方法,特别涉及具有沟道式栅极结构的半导体装 置和其制造方法。背景技术图 10为以往的沟道式栅极型功率MOSFET(Metal Oxide Field Effecttransistor) 结构的截面图。以往的沟道式栅极型功率MOSFET具有在未图示的η+型基板上形成的η-型外延 层1、在该外延层1上形成的P型基底层2和在该基底层2上形成的η+型的源层3。然后, 该沟道式栅极型功率MOSFET进一步包括从平面上看形成为条纹状且形成为...
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