技术编号:6942475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及一种集成半导体器件,该集成半导体器件包含具有由SiGe或 SiGeC层的第一部分形成的基极区的异质结双极晶体管(HBT)器件、以及具有由SiGe或 SiGeC层的第二部分形成的互连的另一个半导体器件。而且,本发明涉及一种包括沟槽偏置 PNPN可控硅整流器(SCR)的可逆可编程器件或存储器件。背景技术移动通信的持续增长促进了射频(RF)通信的发展。尤其是,这个不断扩大的市场 要求功率消耗更低并且性能提高。已经发现许多应用的一种可能的技术方案是双...
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