技术编号:6942833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及还一种用于在半导体基板中蚀刻深沟槽的方法,包括使用氧化的基 于氟的化学物,其中,以渐变方式引入氧,以控制侧壁钝化;以及渐变功率和压力以控制离 子流密度并保持基本恒定的蚀刻速率。 同时,本发明又涉及一种用于在半导体基板中蚀刻深沟槽的方法,包括使用含氮 的活性较大的基于氟的化学物执行主蚀刻,接着使用活性较小的基于氟的化学物SF6执行 次蚀刻,其中,所述主蚀刻包括NF3,以及所述次蚀刻包括SF6/02。 根据本发明的用于在半导体基板中蚀刻深沟槽的方法还...
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