技术编号：6944235
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路，具体是一种有机阻变存储器及制备方法。 背景技术在当今信息爆炸的数字化时代中，人们的生产和生活离不开高密度、高速度的存 储器。目前应用最广泛、发展得最成熟的非挥发性存储器为闪存(flash memory)器件。随 着微电子技术节点不断向前推进，基于传统浮栅结构的闪存已经接近其物理极限，严重影 响了单元的存储功能，无法跟随集成电路摩尔定律的脚步发展下去。具有更高存储密度，更 快响应速度，更低操作电压，更简单的制备工艺的新一代阻变存储...
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