技术编号:6944422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及金属氧化物半导体场效应晶体管中的栅极结构。技术背景 场效应晶体管(FET)在电子工业中被广泛用于切换、放大、滤波以及其他与模拟 和数字电信号有关的任务。在这些场效应晶体管中最常见的为金属氧化物半导体场效应 晶体管(M0SFET或M0S),其中对栅极结构施加电压以在半导体体的下伏沟道区域中产生电 场,这样便可以使电子通过半导体体的源极区域与漏极区域之间的沟道。互补MOS(CMOS) 器件已被广泛应用于半导体工业中,其中使用η型和ρ型(NM0S和PM...
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