技术编号：6944559
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及隔着绝缘层设置有半导体层的衬底的制造方法，尤其涉及一种 SOI (Silicon on Insulator 绝缘体上硅)衬底的制造方法。另外，本发明还涉及SOI衬底 的制造方法中的键合衬底的再利用方法。背景技术在具有绝缘表面的支撑衬底上具有半导体层的SOI衬底作为适合制造低耗电量 且能够高速工作的半导体装置的衬底引人注目。作为SOI衬底的制造方法之一，已知氢离子注入剥离法(参照专利文献1)。氢 离子 注入剥离法是指如下技术在两个硅晶片中的成为键合...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。