基板处理装置和暴露于等离子体的部件的制作方法技术资料下载

技术编号:6944563

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本发明涉及对半导体晶片等被处理基板实施等离子体处理等处理的基板处理装 置、以及在该基板处理装置中所使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件。背景技术现阶段,例如在半导体器件的制造工艺中,对作为被处理体的半导体晶片进行热 氧化处理、热氮化处理、等离子体氧化处理、等离子体氮化处理、CVD等的膜形成处理或者蚀 亥Ij、灰化等各种基板处理。在这样的基板处理中,半导体晶片等被处理基板在放置于基板处理装置的处理容 器内所设置的基板载置台上的状态下,以所希望的基板温度进行...
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