基板处理装置和暴露于等离子体的部件的制作方法

专利名称：基板处理装置和暴露于等离子体的部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及对半导体晶片等被处理基板实施等离子体处理等处理的基板处理装 置、以及在该基板处理装置中所使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件。
背景技术：
现阶段，例如在半导体器件的制造工艺中，对作为被处理体的半导体晶片进行热 氧化处理、热氮化处理、等离子体氧化处理、等离子体氮化处理、CVD等的膜形成处理或者蚀 亥Ij、灰化等各种基板处理。在这样的基板处理中，半导体晶片等被处理基板在放置于基板处理装置的处理容 器内所设置的基板载置台上的状态下，以所希望的基板温度进行所希望的基板处理。为了 这样将被处理基板保持为所希望的基板温度，在基板载置台内安装加热器，另外，为了进行 被处理基板向基板载置台上的放置或者拆卸，在基板载置台上设置有使被处理基板从基板 载置台表面升起的升降销(参照日本特开平9-205130号公报、日本特开2003-58700号公 报)。参照图1具体说明在基板处理装置中现有正在使用的基板载置台的结构。基板载 置台301—般由氮化铝(AlN)等陶瓷构成，在其内部例如埋设有加热器302。而且，在基板 载置台301中，插通有例如由石英玻璃构成的能够上下移动的升降销303，由驱动机构304 升降驱动升降销303，由此升降半导体晶片等被处理基板W。即，在升降销303位于下降位置的状态下，被处理基板W在基板载置台301上，在 与其表面接触的状态下而被保持，另一方面，在升降销303位于以双点划线表示的上升位 置的状态下，由搬运机构的臂(未图示)将被处理基板W传递到升降销303上。这样的基 板载置台301能够适用在等离子体处理装置等各种处理装置中，例如通过具有多个缝隙的 平面天线(缝隙天线)向处理容器内发射微波以生成微波等离子体，由该微波等离子体进 行等离子体处理的等离子体处理装置中。然而，在将被处理基板放置在这种基板载置台301上的状态下，例如，如果由使用 上述缝隙天线的微波等离子体处理装置进行等离子体氧化处理，则在基板处理以后从载置 台搬出时，在被处理基板的背面产生直径大于等于0. 16 μ m且数量达到数千个的大量微 粒，已经判明将发生上述这样的问题。另一方面，在基板处理装置是等离子体处理装置的情况下，在处理容器内的壁部 或者处理容器内设置的部件由铝等金属形成。这些部件中暴露于强等离子体的部分因其表 面被等离子体切削而产生微粒，因其微粒而产生大量的铝等金属污染，对加工产生恶劣影 响。另外，特别是如果对于铝制的部件作用等离子体，则由于其部件表面的损伤或者恶化强 烈，因此还存在通过长时间使用加工的再现性差的问题。
作为解决这些问题的技术，在日本特开2002-353206号公报中公开有在反应室的内壁中，在与等离子体的生成区域邻接的部分中设置硅晶体。而且，在该公报中记载有作为 硅晶体使用打穿(弄凹)单晶硅的锭(ingot)的情况。然而，如果对单晶硅进行加工并以整块体(bulk)构成反应室的壁，则导致其价格 极其高并且不能够得到充分的强度，实际上难以实现。

发明内容
本发明的目的在于提供一种具备能够降低所放置的被处理基板的背面微粒的基 板载置台的基板处理装置及其基板载置台。另外，本发明的其它目的在于提供一种能够现实地抑制来自处理容器内暴露于等 离子体部位的金属污染，进行等离子体处理的基板处理装置和在该装置中使用的暴露于等 离子体的部件。根据本发明的第一方案，提供一种基板载置台，其包括在内部埋设有加热器并且 其表面成为被处理基板的加热面的基板载置台主体；和能够上下自由移动地在上述基板载 置台主体中插通的升降销，其中，在上述基板载置台主体的上述加热面上，与上述升降销相 对应地形成有底面低于上述加热面的凹部，上述升降销具有升降销主体、以及在上述升降 销主体的顶端部与上述凹部对应形成的能够部分收容在上述凹部中并且直径比上述升降 销主体的直径大的头部，上述头部具有支撑被处理基板的头部上端和与上述头部上端相对 的头部下表面，上述升降销能够在上述头部下表面与上述凹部的底面接合的第一状态以及 上述头部下表面从上述凹部的底面升起的第二状态之间自由移动。在上述第一方案中，在上述第一状态下，上述头部上端优选从上述基板载置台上 表面离开大于0. Omm且小于等于0. 5mm的距离，更优选的是离开大于等于0. Imm且小于等 于0. 4mm的距离，最优选的是离开大于等于0. 2mm且小于等于0. 4mm的距离。另外，在上述第一方案的基板载置台中，能够是上述基板载置台主体由氮化铝构 成，上述升降销由石英玻璃构成。依据本发明的第二方案，提供一种基板处理装置，其包括通过排气系统进行排气 的基板处理室；收容在上述基板处理室中，用于保持并加热被处理基板的基板载置台；以 及向上述基板处理室中供给处理气体的供气系统，其中，上述基板载置台包括在内部埋设 有加热器并且其表面成为被处理基板的加热面的基板载置台主体；和能够上下自由移动地 在上述基板载置台主体中插通的升降销，在上述基板载置台主体的上述加热面上，与上述 升降销相对应地形成有底面低于上述加热面的凹部，上述升降销具有升降销主体、以及在 上述升降销主体的顶端部与上述凹部对应形成的且能够部分收容在上述凹部中并直径比 上述升降销主体的直径大的头部，上述头部具有支撑被处理基板的头部上端和与上述头部 上端相对的头部下表面，上述升降销能够在上述头部下表面与上述凹部的底面接合的第一 状态以及上述头部下表面从上述凹部的底面升起的第二状态之间自由移动。作为上述基板处理装置能够适用等离子体处理装置。另外，作为这种等离子体处 理装置，能够使用具备在上述基板处理室的一部分中以与上述基板载置台上的被处理基板 相对的方式设置的电介体窗，以及在上述基板处理室的外侧与上述电介体窗结合而设置的 天线的装置。这种情况下，能够形成为上述天线由平面形天线构成并且形成有多个缝隙，微波通过上述天线从上述缝隙被导入到上述处理容器内的结构。另外，作为上述基板处理装 置，能够使用氧化处理装置、氮化处理装置、蚀刻装置、CVD装置中的任一种。根据本发明的第三方案，提供一种基板处理装置，包括收容被处理基板的处理容 器；以及在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，上述基板处理装置用于对上 述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子体处理，其中，在上述处理容器内，暴露于等 离子体的部位的至少一部分涂敷有硅膜。这种情况下，上述暴露于等离子体的部位可以通过在金属制主体的表面上涂敷硅 膜而构成。根据本发明的第四方案，提供一种基板处理装置，包括收容被处理基板的处理容 器；在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构；以及在上述处理容器内暴露于等 离子体的部件，上述基板处理装置用于对上述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子 体处理，上述暴露于等离子体的部件具有金属制的主体、以及涂敷在该主体的至少暴露于 等离子体的部位上的硅膜。根据本发明的第五方案，提供一种基板处理装置，其包括收容被处理基板的处理 容器；产生微波的微波产生部；向上述处理容器传播由上述微波产生部产生的微波的导波 路径；设置在上述处理容器的上部，用于将上述微波导入到上述处理容器中的微波导入部； 支撑部件，用于在上述处理容器内以使上述微波导入部面向上述处理容器内的被处理体的 方式对其进行支撑，该支撑部件的一部分至少位于等离子体的生成区域，并具有金属制的 主体，并且至少在其位于上述等离子体生成区域中的部分上涂敷有硅膜；以及将处理气体 导入到上述处理容器内的上述微波导入部的正下方位置的处理气体导入机构，通过利用上 述微波在上述处理容器内形成的处理气体的等离子体，对被处理体进行等离子体处理。这种情况下，上述微波导入部具有发射微波的天线、以及使从上述天线发射的微 波透过并将其导入到处理容器内的由电介体构成的透过部件，构成为能够通过上述支撑部 件支撑上述透过部件。根据本发明的第六方案，提供一种暴露于等离子体的部件，该暴露于等离子体的 部件在收容被处理基板的处理容器内生成等离子体进行等离子体处理的基板处理装置中， 该部件在上述处理容器内暴露于等离子体中，其包括金属制的主体；以及涂敷在该主体 的至少暴露于等离子体的部位上的硅膜。在上述第三 第六方案中，上述主体可以是铝制成的主体，上述硅膜优选是通过 喷镀形成的膜。而且，上述硅膜的厚度优选为1 100 μ m。根据上述本发明的第一以及第二方案，在上述 升降销下降，处在上述第一状态的 情况下，被处理基板由上述升降销保持为从上述基板载置台的上表面离开的状态，其结果， 被处理基板不会与基板载置台表面直接接触，能够消除随着这种接触产生的微粒发生的问 题。这种情况下，通过使上述第一状态下的被处理基板离开上述基板载置台上表面的间隔 距离为0. 4mm以内，能够较高地维持基板处理时的温度分布的均勻性。根据上述本发明的第三 第六方案，在上述处理容器内暴露于等离子体的部位的 至少一部分涂敷有硅膜，典型的是在处理容器内暴露于等离子体的部件由于是具有金属制 的主体以及涂敷在该主体的至少暴露于等离子体的部位上的硅膜的部件，由此，被等离子 体损耗的主要是硅，能够抑制铝等金属制主体因等离子体产生的损耗，从而能够极少发生铝等的金属污染。另外，由于可以在铝制等主体上形成膜，因此能够比较低价地制造。而且，由于主体是金属，因此能够确保充分的强度。


图1是表示现有的基板处理台的结构的图。图2是表示本发明第一实施方式的基板载置台的结构的剖面图。图3是表示图2的基板载置台的平面图。图4是表示成为本发明第一实施方式的基础的实验的图。图5是表示图3的基板处理台的局部放大图。图6是表示成为本发明第一实施方式的基础的实验的另一图。图7是表示本发明第一实施方式的效果的图。图8是表示适用于本发明第一实施方式的基板载置台的微波等离子体处理装置 的剖面图。图9是表示图8的微波等离子体处理装置的平面天线的平面图。图10是表示本发明第一实施方式的基板载置台的升降销的变形例的图。图11是表示本发明第二实施方式的等离子体处理装置的概略结构的概略剖面 图。图12是表示在图11的等离子体处理装置中所使用的平面天线部件的构造的图。图13是表示距透过板的距离与等离子体的电子温度的关系的图。图14是表示在图11的等离子体处理装置中所使用的上平板(upplate)的放大 图。图15A是表示现有的上平板的因等离子体产生的损耗状态的模式图。图15B是表示在图11的等离子体处理装置中，上平板的因等离子体产生的损耗状 态的模式图。图16是表示在连续地进行等离子体处理的情况下，上平板的由是否有硅膜产生 的铝污染的差别的曲线图。
具体实施例方式以下，参照

本发明的实施方式。第一实施方式参照图2以及图3详细说明本发明第一实施方式的基板载置台。图2是表示本实 施方式的基板载置台的剖面图，图3是其平面图。该基板载置台能够适用于热氧化处理、热 氮化处理、等离子体氧化处理、等离子体氮化处理、CVD等的膜形成处理或者蚀刻、灰化等各 种基板处理装置中。如图2所示，基板载置台20由氮化铝等陶瓷材料构成，在其内部具备埋设有图3 所示同心圆形或者螺旋形加热器23的基板载置台主体22，在该基板载置台22中，在三个位 置形成有升降销24所贯通的贯通孔22a。考虑到耐腐蚀性以及耐热性，升降销24由A1203、 AlN或者石英玻璃形成。升降销24通过电动式或气压驱动式的升降机构25，能够在图2实 线所示的下降位置与双点划线所示的上升位置之间进行升降驱动。
在图2的结构中，上述升降销24保持半导体晶片等被处理基板W，即使在上述升降 销24的下降位置，上述被处理基板W的背面也不与上述基板载置台主体22的上表面接触， 基板载置台主体22的上表面起到将被处理基板W加热的加热面的作用。另一方面，在升降 销24的上升位置，被处理基板W从基板载置台主体22的上表面向上方被高高抬起，在被处 理基板W与基板载置台主体22之间形成有用于插入未图示的基板传送机构的机械臂的空 间。另外，在图3表示的例子中，上述加热器23由图形加热器(patternheater)构成， 由实际上相互独立驱动的内侧加热器部分23a以及外侧加热器部分23b形成为平面状。内 侧加热器部分23a以及外侧加热器部分23b，通过绝缘空间的缝隙23c将金属材料例如W或 者Mo等构成图案，而相互分离形成。图案通过蒸镀或者对平板进行加工而形成。另外，在 内侧加热器部分23a中，在从电源供电的供电线(未图示)上连接有输入侧接点26a以及 输出侧接点26b，同样，在外侧加热器部分23b中，同样的供电线连接在输入侧接点27a以及 输出侧接点27b上，使驱动电流流通。在图3的平面图中，3个贯通孔22a相互以大约120 度的角度分开，从而，插通它们的3个升降销24也相互以大约120度的角度分开。在现有的基板载置台中，如上所述，在适当的处理装置中在放置有被处理基板的 状态下对被处理基板进行处理，但是具有在被处理体的背面产生大量微粒的问题。这种产 生微粒的问题认为是由于被处理基板直接与基板载置台的表面接触，因此主要因被处理基 板的偏移以及附着物向被处理基板上的附着而产生。
于是，本发明者们在成为本发明的基础的研究中，对下述内容进行了调查在等离 子体处理装置等各种处理装置中，在通过具有多个缝隙的平面天线(缝隙天线)向处理容 器内发射微波而生成微波等离子体，并通过该微波等离子体对被处理基板进行等离子体处 理的等离子体处理装置中，使用图1所示的现有基板载置台，在对被处理基板进行基板处 理时使升降销的高度发生种种变化，根据尘埃的状况以及基板处理，在被处理基板表面上 所形成的膜的均勻性。在该处理实验中，使用硅晶片(基板)作为被处理基板W，在压力为133. 3Pa、基板 温度为400°C的条件下，以500mL/min(SCCm)的流量供给Ar气体，以5mL/min (sccm)的流量 供给氧气和氢气，并且通过微波天线以4000W的功率供给频率为2. 45GHz的微波，由此在硅 基板上进行厚度为7 Snm的硅氧化膜的形成。以下的表1表示这种处理实验的结果，表 示出升降销高度、附着在硅基板背面上的粒子(微粒)数、在被处理基板表面上形成的氧化 硅膜的平均膜厚以及膜厚均勻性(Io值/平均膜厚)。在表1中，销高度表示升降销从基 板载置台的表面突出的突出高度，但其并不是实际高度，表示输入到升降机构中的输入设 定值。表 1
销高度(mm) 0. 10. 20. 30. 5 ~~ Γθ
粒子数5813 2239 1273 463350
膜厚(nm)7Γ94 7Γ93 7Γ97 7Γ57 7 43~ 参照表1可知，在升降销的设定高度为0. Imm的情况下，在硅基板背面观测到5813 个粒径大于等于0. 16 μ m的微粒，与此相对，通过使升降销的设定高度为0. 2mm，微粒数减 少到2239个，而且，通过使上述设定高度为0.3mm，微粒数减少到1273个。此外，通过使上 述设定高度为0. 5mm，微粒数减少到463个，通过使上述设定高度为1. 0mm，微粒数减少到 350 个。这样，通过控制升降机构，使得即便在对基板进行处理时也使升降销从基板载置 台的表面突出，从而能够抑制在被处理基板背面中产生微粒，另一方面，在进行基板处理 时，当这样使被处理基板W从基板载置台的表面(即加热面)离开的状态下对其进行保持 时，如果被处理基板的背面与加热面的间隔过大，则有可能导致被处理基板表面的成膜均 勻性恶化。因此，如果参照上述表1，则在升降销设定高度为0. Imm的情况下，所形成的氧化 硅膜的膜厚均勻性为1.4%，此外，在上述升降销设定高度为0. 2mm的情况下，所形成的氧 化硅膜的膜厚均勻性成为1. 46%，在0. 3mm的情况下成为1. 5%，在0. 5mm的情况下成为 2. 3%，在1. Omm的情况下成为1. 95%。图4表示该升降销设定高度与平均膜厚的关系以及 升降销设定高度与膜厚均勻性的关系。 从这些表1以及图4可知，随着升降销设定高度的增大，膜厚的分散性(偏差)有 增大的倾向。S卩，可以得知，对于在被处理基板背面产生尘土的问题，能够通过避免被处理基板 与基板载置台接触，在基板处理时以使被处理基板与基板载置台不接触的方式在升降销上 对被处理基板进行保持而得到回避，另外，如果在基板处理时增大被处理基板与基板载置 台的距离，则可知基板处理的均勻性恶化。这是因为如果基板离开基板载置台，则对基板的 辐射热降低，导致基板温度下降，因此基板的温度分布显著恶化，而且，在本发明中，如图4 所示，发现这种基板处理的均勻性在升降销的设定高度超过0. 3mm以后，急剧变化而恶化。如上所述，升降销高度是由基板升降机构设定的升降销的设定高度，并不一定与 实际的升降销在基板载置台中的实际突出高度一致。因此，在使用图1的现有基板载置台 由基板升降机构控制升降销的突出量的情况下，实际上被处理基板有时接触到基板载置台 的表面，为了可靠地避免这种事态，从安全角度出发，不得不将上述升降销的突出量设定为 大于所需要的量。然而，如果这样加大升降销的突出量，则难以既控制被处理基板背面中的 尘土，又同时确保基板处理的均勻性。另外，虽然也考虑在基板载置台的表面形成直接突 起，但是在机械加工精度上非常困难。因此，在本发明中，如图2所示，在基板载置台主体22的表面形成凹部22b，并且在 升降销24的顶端部形成头部24a，使得在升降销24位于下降位置时能够部分收容在凹部 22b 中。图5进一步放大表示下降状态中的头部24a。参照图5，用于部分收容上述头部24a 的形成在基板载置台主体22表面上的凹部22b具有深度h1;在下降状态下，头部24a的底 面与凹部22b的底面接合从而头部24a落座在凹部22b中。头部24a的形状优选是方形、圆形，而更优选的是圆形。典型的是将升降销24的直径W1设定为2 3mm，头部24a的直 径W2设定为大约10mm。对于上述直径W1而言，由于在该部分中温度分布恶化，因此其不能 过大。优选在15mm以下。此时，将头部24a的高度H设定为比凹部22b的深度Ill大，其结果是，头部24a从 基板载置台主体22的表面向上方只突出高度H-hJ = h2)。表2以及图6表示在基板载置台主体22中，使突出高度h2发生各种变化时在被 处理基板W的背面产生的直径大于等于0. 16 μ m的微粒的数量、在被处理基板W表面形成 的氧化硅膜的膜厚、乃至上述氧化硅膜的膜厚均勻性。其中，在表2以及图6的实验中，在 与前面说明的条件相同的条件下进行氧化硅膜的成膜。表 2 *基板传送到ΤΝ，没有导入处理容器参照表2可知，*符号的试样是使被处理基板W的传送停留在传输组件中，并没有 进行向处理容器中的导入的对照标准的实验，在这种情况下，被处理基板W的背面中的、粒 径大于等于0. 16 μ m的粒子的数量仅仅为119个。与此相对，在使上述突出高度h2为0. Omm,即，被处理基板W直接接触基板载置台 主体22的表面的情况下，可知在被处理基板W的背面产生的粒子数达到3888个。另一方面，在使上述头部24a的突出高度h2为0. 2mm以及0. 4mm的情况下，上述 粒子数分别是536个以及572个，从而可知有效地抑制了灰尘。而且，如果观察膜厚均勻性(Io值/平均膜厚)，则在头部突出高度h2*0.4mm 的情况下，从上述表2可知，膜厚分散性(偏差)为1.04%，膜厚均勻性也良好的结果。这 样，在头部突出高度h2为0. 2 0. 4mm的范围内时，能够在抑制微粒数的同时还能够提高 膜厚均勻性。上述0. 2 0. 4mm的头部突出高度是对应于被处理基板W的翘曲量，通过将 头部突出高度设定为该范围，可以认为即便是翘曲的被处理基板，也能够避免其与基板载 置台主体22表面的接触。而且，如图2或图5所示，对于通过使头部24a与形成在基板载置台主体22上的 凹部22b接合，机械地决定头部24a的突出高度的结构的基板载置台20，由于能够可靠且精 密地决定头部突出高度h2，因此将头部突出高度h2设定在例如0. 1 0. 5mm的范围使得超 过0. Omm,能够在有效地抑制粒子数的同时还能够均勻地进行膜形成。图7表示与在前面图1表示的现有基 板载置台301中，在由升降机构304对没有 头部的现有升降销303进行位置控制时的粒子数抑制效果相比较，在图2、图5的基板载置 台20中实现的粒子数的抑制效果，与上述表1和表2相对应。在图7中， 与使用图2、图5的基板载置台20的表2相对应，〇与使用图1的现有基板载置台301的表1相对应。参照图7可知，如本发明这样，通过使升降销24的头部24a与在基板载置台主体 中形成的凹部22b的机械接合，将头部24a的突出量精密控制在0. 1 0. 5mm范围内的情 况下，与不形成这种头部，由驱动机构控制升降销的突出量的情况相比，实现更有效地抑制 微粒发生。其次，说明适用这种基板载置台的基板处理装置。图8是表示具备上述结构的基 板载置台的作为基板处理装置的微波等离子体处理装置的结构的剖面图。如图8所示，微波等离子体处理装置1具有上部开口的圆筒形处理容器10。处理 容器10例如由铝、不锈钢等金属或者其合金构成的导体部件所形成。在处理容器10的上部开口部中，配置有形成为平板形的电介体板4。电介体板4 使用例如厚度为20 30mm左右的石英或陶瓷等。在处理容器10与电介体板4之间，存在 有0环形等的密封材料(未图示)，使得能够保持气体密封性(气密性)。电介体板4由环 形上平板61所支撑。在电介体板4的上部设置有例如作为具有多个缝隙50a的平面天线之一的径向线 缝隙天线 (RLSA) 50。缝隙天线50通过由波导管52、模式变换器53以及矩形波导管54构 成的导波路径59，连接微波产生装置56。微波产生装置56具有微波发生器，微波发生器56 发出300M 30GHZ，例如2. 45GHZ的微波。在缝隙天线50的上部设置有由电介体例如石 英、陶瓷、氟树脂等叠层体构成的延迟波部件(滞波部件)55，在其上面配置有构成冷却套 的导体罩57。能够由该导体罩57屏蔽微波，有效地冷却缝隙天线50、电介体板4。另外，在 矩形波导路径的途中设置有进行阻抗匹配的匹配电路(未图示)，构成为能够提高电力的 使用效率。在波导管52的内部，由导电性材料构成的轴部51连接缝隙天线50上表面的中央 部分。由此，波导管52构成为同轴波导管，通过电介体板4在处理容器10内发射高频的电 磁场。缝隙天线50通过电介体板4而与处理容器10隔开被保护。因此，缝隙天线50没有 暴露于等离子体。图9是详细地表示上述缝隙天线50的平面图。如该图所示，在缝隙天线50中，多 个缝隙50a形成为同心圆形，而且邻接的缝隙天线50a之间以正交的朝向形成为T字形。在处理容器10的下部设置有排气部11。排气部11具有中空密封的排气管75、77。 在排气管77的下部通过阀门43连接有涡轮分子泵42。阀门43例如由开闭阀门和APC阀 门那样的压力控制阀门构成。另外，在排气管77的下方设置的法兰盘77a的下部分侧面， 设置有对处理容器10内进行粗抽(rough)的粗抽排气口 73，该粗抽排气口 73通过经由阀 门39连接的粗抽管线40而设置有未图示的真空泵，该真空泵上连接有涡轮分子泵42的排 气管线41。通过经由上述粗抽管线40、涡轮分子泵42排气，能够使处理容器10内成为所希望 的真空度。另外，在处理容器10的侧壁的上部分中，设置有将各种处理气体等导入到处理 容器10内的气体喷射器6。该气体喷射器6在图示的例子中形成为在内周均勻形成有气体 孔的环形。除此以外，也可以是圆锥形或者喷头形。在该气体喷射器6中，经过各质量流量控制器(MFC) 101a、102a、103a以及各个阀 门101b、101c、102b、102c、103b、103c以及共同阀门104连接例如Ar等稀有气体源101、氮气源102、氧气源103。在上述气体喷射器6上，形成有多个气体喷射口，使得包围载置台8， 其结果，Ar气体、氮气、氧气被均勻地导入到上述处理容器10内的加工空间中。另外，作为处理气体，不限于这些气体，与处理相对应也能够适用各种气体，与此 相对应，能够设置例如氢、氨、NO、N2O, H2O, CF系列气体等蚀刻气体的气体源。在处理容器10的内部，设置有放置例如半导体晶片那样的被处理基板W的基板载 置台8。在基板载置台8的上表面上，优选形成比半导体晶片等被处理基板W的外径小，而 且达到外侧的例如0.5 Imm左右深度的凹部(底座部分)，使得防止被处理基板的放置 位置发生偏移，而例如在设置有静电卡盘的情况下，由于由静电力保持，因此不需要设置凹 部。该基板载置台8具有基板载置台主体8a、插通基板载置台主体8a的用于对作为被处 理基板的半导体晶片W进行升降的升降销14、以及用于对升降销14进行升降的升降机构 15。另外，在基板载置台主体8a的内部埋设有发热电阻体9。构成为在发热电阻体9上施 加电力以对基板载置台主体8a进行加热，从而将被处理基板W加热。基板载置台主体8a 由A1N、Al2O3等陶瓷构成。该基板载置台8具有与上述基板载置台20同样的构造。即，在升降销14的上部 设置有头部14a，并且在基板载置台主体8a的与头部14a相对应的位置形成有与上述凹部 22b相对应的凹部8b，使得能够部分收容头部14a。而且，头部14a的高度和凹部8b的深 度设定成在头部14a落座到凹部8b中的升降销14的下降状态下，头部14a的顶端部从基 板载置台主体8的表面突出超过0. Omm且小于等于0. 5mm的距离，优选的是突出大于等于 0. Imm且小于等于0. 4mm的距离，更优选的是突出大于等于0. 2mm且小于等于0. 4mm的距 罔。另外，在基板载置台8内埋设有下部电极，该下部电极也可以通过匹配盒(未图 示)而与高频电源(未图示)连接。在这种情况下，高频电源例如既可以施加450kHz 13. 65MHz的高频加入高频偏置，也可以与直流电源连接，加入连续偏置。载置台固定部64通过支撑体16等支撑基板载置台8。载置台固定部64例如由 Al等金属或者其合金形成，载置台支撑体16例如由AlN等陶瓷形成。基板载置台8与支撑 体16构成一体或者用焊锡等结合，成为不需要真空密封或者固定用的螺栓的构造。载置台 支撑体16的下部例如在由Al等金属或者其合金构成的支撑体固定部81上，通过由Al等 金属或者合金构成的固定环80而由螺栓等固定，能够对基板载置台8的放置面与电介体板 4的间隔进行调整，另外，载置台支撑体16与支撑体固定部81由未图示的0形环等气密密 封。另外，支撑体固定部81由未图示的0形环等密封固定在载置台固定部64上。载置台固定部64在排气管77的侧面通过螺栓等由未图示的0形环等密封固定。 具体地讲，载置台固定部64的侧部与排气管77的内侧面连接。另外，载置台固定部64的下 部在维修等组装时，由具有通过载置台固定部64水平定位的定位部件功能的支撑部件84 支撑基板载置台8。该支撑部件84从外侧气密地插入到排气管77上所设置的固定孔中，固 定在排气管77上。在支撑部件84的端部，安装载置台固定部64，使得能够通过设置在其下 部的卡止部件68使载置台容易达到水平。上述支撑部件84还起到定位部件的作用。上述基板载置台8通过载置台固定部 64的下部分经由卡止部件68卡止到在支撑部件84的端部预先设置的卡止部而被定位。例 如，如图8所示，在支撑部件84的端部上侧，作为卡止部而设置凹部，也可以在该凹部中通过插入卡止部件68的下部所形成的突部进行卡止。这种情况下，卡止部件68也可以通过螺钉或者螺栓等固定在支撑部件84的卡止部中。另外，虽然没有图示，但也可以在支撑部 件84的端部作为定位部件的卡止部设置孔部，在该孔部中插入载置台固定部64的下部。在上述载置台固定部64的内部，设置有朝向排气管77的侧壁开口的空间71，该空 间71通过在排气管77的侧面所设置的开口部71a与大气连通。另外，空间71通过支撑体 固定部81内的空间92，与载置台支撑体16内的空间94连通，均向大气开放。在载置台固定部64的空间中，配备有向基板载置台8内设置的发热电阻体供电的 布线，以及测定控制基板载置台8的温度的热电偶的布线等布线类。另外，上述布线类在图 8中省略。上述布线类经过载置台支撑体16内的空间体94、载置台固定部64的空间71，从 法兰盘75的开口部71a引出到等离子体处理装置1的外部。而且，在载置台固定部64的下部埋设有冷却水路83，使得能够从等离子体处理装 置100的外部导入冷却水。冷却水用于防止基板载置台8的热量经过载置台支撑体16使 载置台固定部64的温度上升。这样，在微波等离子体处理装置1中，基板载置台8在多个位置固定到排气管77 上。具体地讲，基板载置台8固定在安装基板载置台8的载置台固定部64的侧部和底部的 两个位置。载置台固定部64的底部通过卡止部件68和支撑部件84而固定在排气管77上。 载置台固定部64的侧部固定在排气管77的内侧面，即，基板载置台8通过由两个位置的固 定部固定到排气管77上，而相对于处理容器10固定。另外，在进行维修时，由于基板载置 台8、载置台支撑体16、支撑体固定部81、载置台固定部64等通过在支撑部件84的端部上 形成的凹部中插入卡止部件68的突部(凸部)进行定位，因此能够容易且水平地安装。在处理容器10内，以包围上述载置台8的周围的方式设置有多个用于将处理容器 内均勻排气的孔的挡板10a。挡板IOa例如由铝或不锈钢等金属制的挡板支撑部件IOb支 撑，而且，为了防止污染，配置有与挡板IOa同样的例如石英制的挡板10d。另外，以覆盖处 理容器10的内壁的方式设置有保护处理容器10的石英制的衬垫(liner) 10c，这样，通过用 屏蔽板将处理容器10内屏蔽，而能够形成清洁的环境。在处理容器10的侧壁，形成有用于被处理基板W的搬入搬出的搬入搬出口 7a，搬 入搬出口 7a能够通过闸阀7进行开闭。在这样构成的微波等离子体装置1中，如果微波从同轴波导管52供给到径向线缝 隙天线50，则微波在天线50中沿径向扩展的同时传播，这时，因上述延迟波部件55受到波 长压缩。于是，微波从缝隙50a—般沿着与径向缝隙天线(平面天线)50大致垂直的方向， 作为圆偏振波发射。另一方面，从稀有气体源101、氮气源102、氧气源103，通过形成为环形的气体喷 射器6，将氮气、氧气与Ar、Kr、Xe、Ne等稀有气体一起均勻地导入到处理容器10内的加工 空间中，由发射到加工空间中的微波等离子体化，由此对被处理基板W实施等离子体处理。 另外，供给的处理气体通过排气部11而被排出。发射到加工空间中的微波的频率是GHz级，例如2. 45GHz，通过导入这样的微波， 在被处理基板W的上方激励IO11 1013/Cm3的高密度等离子体。由这样通过天线导入的微 波激励的等离子体以0. 5 7eV或者更低的电子温度为特征，其结果，避免在微波等离子体 处理装置1中被处理基板W或者处理容器10内壁的损伤。另外，伴随着等离子体激励形成的自由基(radical)由于沿着被处理基板W的表面流动，从加工空间快速排除，因此抑制自 由基相互的再结合，非常均勻地有效处理温度能够采用小于等于550°C的低温。例如，在图8的微波等离子体处理装置1中，在进行上述图4或者图6表示的实验 的情况下，基板载置台主体8a在100 600°C的范围内被加热，处理容器10内的加工空间 被减压到3 666. 5Pa的压力范围，以500 2000mL/min (sccm)的流量从气体喷射器6供 给Ar气体，以5 500mL/min (sccm)的流量供给氧气，而且，从平面天线50以1 3kW的 功率供给频率为2. 45GHz的微波。这时依据本实施方式，与前面的实施方式相同，在下降的状态下，与基板载置台主 体8a接合的状态的升降销14相对于载置台主体8a主面的突出高度由于优化成超过0. Omm 且小于等于0. 5mm,优选的是大于等于0. Imm且小于等于0. 4mm,更优选的是大于等于0. 2mm 且小于等于0. 4mm,因此与参照图6说明过的相同，能够有效地抑制微粒发生。另外，以上的说明以微波等离子体处理装置为例进行，而本发明的基板载置台既 能够适用这种微波等离子体处理以外的其它等离子体处理，例如，ICP型、ECR型、平行平板 型、表面反射波型、磁控管型等的等离子体的处理，也能够适用等离子体处理以外的处理。 另外，不限于上述那样的氧化处理，也能够适用氮化处理、CVD处理或者蚀刻处理等各种处 理，而且，关于被处理体不限于半导体晶片，也能够将FPD用玻璃基板等其它的基板作为对 象。另外，在图5中，也能够将升降销24的头部24a的上表面如图10所示形成为圆锥 形等 向上方突出的形状。第二实施方式其次，说明本发明的第二实施方式。图11是本发明第二实施方式的等离子体处理装置的概略剖面图。该等离子体 处理装置200与第一实施方式相同，构成为用具有多个缝隙的平面天线例如RLSA(radial line slot antenna 径向线缝隙天线)将微波等微波导入到处理室内产生等离子体，使得 产生高密度且低电子温度的微波等离子体的等离子体处理装置。等离子体处理装置200具有气密地构成的例如搬入半导体晶片W那样的接地的大 致圆筒形的腔(处理容器)201。该腔201由铝或不锈钢等金属材料构成，由构成其下部的 外壳部202和在其上面配置的腔壁203构成。另外，在腔201的上部可开闭地设置有用于 将微波导入到加工空间内的微波导入部230。在外壳部202的底壁202a的大致中央部分形成有圆形的开口部210，在底壁202a 中设置有与该开口部210连通并向下方突出的、用于将腔201内部均勻排气的排气室211。在外壳部202内，在由从排气室211的底部中央向上方延伸的圆筒形支撑部件204 支撑的状态下，设置有用于将作为被处理基板的晶片W水平支撑的基座(SUSc^ptor)205。 作为构成基座205以及支撑部件204的材料，能够举出石英或者A1N、Al2O3等陶瓷材料，而 其中优选是热传导性良好的A1N。在基座205的外缘部分设置有用于引导晶片W的导环 208。另外，在基座205中，埋入有电阻加热型的加热器(未图示)，通过从加热器电源206 供电，将基座205加热，利用其热量将作为被处理体的晶片W加热。通过插入到基座205中 的热电偶220测定基座205的温度，根据来自热电偶220的信号，温度控制器221控制加热 器电源206，例如，能够在从室温到100°C的范围内进行温度控制。
另外，在基座205中，相对于基座205的表面能够突没(能够进出)地设置有用于支撑并升降晶片W的升降销(未图示)。在基座205的外周一侧环形设置有具有用于使腔 201内均勻排气的多个排气孔的挡板207，该挡板207由多个支柱207a所支撑。另外，在腔 201的内周设置有由石英构成的圆筒形的衬垫242，防止由腔构成材料引起的金属污染，维 持清洁的环境。作为衬垫242也能够适用陶瓷(A1203、A1N、Y2O3等)。在上述排气室211的侧面连接有排气管223，在该排气管223上连接有包括高速真 空泵的排气装置224。而且，通过使该排气装置224动作，将腔201内的气体均勻地向排气 室211的空间211a内排出，并通过排气管223进行排气。由此，腔201内能够高速减压到 预定的真空度，例如0. 133Pa。在外壳部202的侧壁设置有用于进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口和开闭该搬 入搬出口的闸阀(每一个都未图示)。在腔201的侧壁形成有用于将处理气体导入到腔201内的气体导入路径。具体地 讲，在外壳部202的侧壁的上端形成有台阶部218，如后所述，与在腔壁203的下端形成的台 阶部219之间形成环形通道213。在腔壁203的上部接合有微波导入部230，使得腔壁203的下部与外壳部202的上 部结合。在腔壁203的内部形成有气体通道214。在腔壁203的上下结合部，设置有例如0形环等的密封部件209a、209b、209c，由此 保持结合部的密封状态。这些密封部件209a、209b、209c例如由氟系列橡胶材料构成。腔壁203的内周面的下端部以环形形成有向下方呈套筒形(skirt:裙形)垂下的 突出部217。该突出部217设置成覆盖腔壁203与外壳部202的边界(接合面部分)，起到 防止等离子体直接作用到由如果暴露于等离子体则容易恶化的材料构成的密封部件209b 的作用。另外，在腔壁203的下端，设置有台阶部219，使得能够与外壳部202的台阶部218 组合而形成环形通道213。而且，在腔壁203的上端部分中，沿着内周面均勻地设置有多个位置(例如32个 位置)的气体导入口 215a，导入路径215b从这些气体导入口 215a水平延伸。该气体导入 路径215b与在腔壁203内沿着铅直方向形成的气体通道214连通。气体通道214在外壳部202的上部与腔壁203的下部的结合面部分中，连接由台 阶部218和台阶部219形成的槽构成的环形通道213。该环形通道213沿着大致水平方向 以环状连通成包围加工空间。另外，环形通道213在外壳部202内的任意位置(例如均等 的4个位置)经过沿着相对于外壳部202垂直的方向形成的通道212与供气装置216连接。 环形通道213具有作为向各气体通道214均勻分配供气的气体分配单元的功能，用作为防 止偏向气体导入口 215a供给处理气体。这样，在本实施方式中，由于能够通过通道212、环形通道213、各气体通道214，从 32个位置的气体导入口 215a均勻地向腔201内导入来自供气装置216的气体，因此能够提 高腔201内的等离子体的均勻性。腔201的上部成为开口部，能够气密密封地配置微波导入部230使得阻塞该开口 部。该微波导入部230能够由未图示的开闭机构开闭。微波导入部230从基座205的一侧开始顺序地具有微波透射板228、平面天线部 件231、和延迟波部件233。它们由屏蔽部件234覆盖，通过支撑部件236由形成剖面L字形的环形按压环235，经由O形环，而固定在上平板227的支撑部件上。在关闭微波导入部 230的状态下，腔201的上端与上平板227构成为由密封部件209c密封的状态，同时，如后 所述，形成为通过透过板228由上平板227所支撑的状态。微波透过板228由电介体例如石英、A1203、A1N、蓝宝石、SiN等陶瓷构成，起到透 过微波并将其导入到腔201内的加工空间的微波导入窗的作用。微波透过板228的下表面 (基座205 —侧)不限于平坦形，为了均勻稳定地生成等离子体，例如也可以形成为凹形或 槽。该透过板228通过环形配备在微波导入部230的外周下方的上平板227的内周面的突 部227a并经由密封部件229而以密封状态被支撑。从而，在关闭微波导入部230的状态下， 能够将腔201内密封保持。平面天线部件231形成为圆板形，在透过板228的上方位置，卡止屏蔽部件234的 内周面。该平面天线部件231例如由表面镀金或镀银的铜板或铝板构成，形成为以预定的 图形贯通形成有用于发射微波等电磁波的多个缝隙孔232的结构。
缝隙孔232例如，如图12所示，形成为长槽形，典型的是邻接的缝隙孔232之间配 置成T字形，这些多个缝隙孔232配置成同心圆形。缝隙孔232的长度或者排列间隔根据 微波的波长Ug)决定，例如，缝隙孔232的间隔配置成l/4Xg、l/2Xg或者Ag。另外， 图12中，用ΔΓ表示同心圆形形成的邻接缝隙孔232之间的间隔。另外，缝隙孔232也可 以是圆形、圆弧形等其它的形状。而且，缝隙孔232的配置形态没有特别限定，除同心圆形 以外，例如也能够配制成螺旋形、或者放射形。延迟波部件(滞波部件)233具有比真空大的介电常数，被设置在平面 天线部件231的上表面上。该延迟波部件233例如由石英、陶瓷、聚四氟乙烯 (polytetrafluorethylene)等氟系列树脂或者聚酰亚胺(polyimide)树脂构成，由于在真 空中微波的波长增长，因此具有缩短微波的波长调整等离子体的功能。另外，平面天线部件 231与透过板228之间或者延迟波部件233与平面天线231之间既可以分别粘贴在一起，也 可以分离。在屏蔽部件234中形成有冷却水流路径234a，通过在其中流通冷却水，将屏蔽部 件234、延迟波部件233、平面天线部件231、透过板228、上平板227冷却。由此，能够防止 变形或者损坏，生成稳定的等离子体。另外，屏蔽部件234接地。由于上述上平板227的附近发生强电场，因此其表面暴露于强等离子体，由离子 等的溅射产生损耗。图13表示距透过板228的距离与等离子体的电子温度的关系。由于 电子温度越高离子能量越高，因此等离子体攻击(高能量的离子的溅射等)剧烈，而如果距 离小于20mm，则电子温度急剧上升，等离子体攻击剧烈。上平板227被设置在透过板228的 附近，特别是，其突部227a接近等离子体，等离子体攻击剧烈，损耗显著。如果像当前那样 仅用铝形成上平板227，则由于表面的等离子体引起的损耗大量发生铝污染，对加工产生恶 劣影响，因此，在本实施方式中，如图14放大表示的那样，将上平板227做成在由铝制的主 体271的暴露于等离子体的表面上涂敷有硅膜272的构造，以抑制发生铝污染。上平板227的硅膜272其厚度优选为1 100 μ m左右。如果其厚度小于1 μ m则 在短时间内铝制的主体271露出，其效果不佳，如果超过100 μ m则由于应力易于产生裂纹 或者分离。硅膜272可以通过PVD (物理沉积)以及CVD (化学沉积)等薄膜形成技术或者喷镀等形成，但是其中因为能够比较廉价地形成厚膜而优选喷镀。所谓喷镀是指，通过对成为膜的材料进行加热而使其熔融软化，并使其以微粒子状加速，对对象物的表面进行冲击，从 而以扁平状堆积，形成膜。喷镀有火焰喷镀(flame spraying)、电弧喷镀(arcspraying)、 激光喷镀、等离子体喷镀等，但是从控制性优良地形成高纯度的膜的观点出发，优选等离子 体喷镀。此外，为了防止硅的氧化，优选在减压状态下进行喷镀。上述形成的硅膜272既可 以是结晶的也可以是非结晶(amorphous)的。在屏蔽部件234上壁的中央形成有开口部234b，在该开口部234b上连接有波导 管237。在该波导管237的端部，通过匹配电路238连接有微波产生装置239。由此，微波 产生装置239中发生的例如频率为2. 45GHz的微波通过波导管237传播到上述平面天线部 件231。作为微波的频率，也能够使用8. 35GHzU. 98GHz。波导管237具有从上述屏蔽部件234的开口部234b向上方延伸的剖面圆形的同 轴波导管237a、以及在该同轴波导管237a的上部通过模式变换器240连接的沿着水平方向 延伸的矩形波导管237b。矩形波导管237b与同轴波导管237a之间的模式变换器240具有 将在矩形波导管237b内以TE模式传播的微波变换成TEM模式的功能。内导体241在同轴 波导管237a的中心延伸，内导体241在其下端部连接固定到平面天线部件231的中心。由 此，微波经过同轴波导管237a的内导体241，向平面天线部件231以放射状地有效地均勻传 播。其次，说明这样构成的微波等离子体处理装置200的动作。首先，将晶片W搬入到腔201内，并将其放置在基座205上。然后，从供气装置216 以预定的流量通过气体导入口 215a向腔201内导入例如Ar、Kr、He等稀有气体，例如02、 N20、N0、N02、C02等氧化气体、例如N2、NH3等氮化气体，除此以外，还有成膜气体、蚀刻气体等 处理气体。接着，将来自微波产生装置239的微波经过匹配电路238导入到波导管237，顺序 地通过矩形波导管237b、模式变换器240以及同轴波导管237a，通过内导体241供给到平 面天线部件231，从平面天线部件231的缝隙经过透过板228发射到腔201内。微波在矩形波导管237b内以TE模式传播，该TE模式的微波由模式变换器240变 换成TEM模式，在同轴波导管237a内向平面天线部件231传播。通过从平面天线部件231 经由透过板228发射到腔201中的微波在腔201内将处理气体等离子体化。该等离子体通过微波从平面天线部件231的多个缝隙孔232发射，成为大致 IXio10 5X 1012/cm3的高密度且在晶片W附近小于等于大致1. 5eV的低电子温度等离子 体。从而，通过使该等离子体对晶片W发挥作用，能够进行抑制等离子体损伤的处理。在这样生成等离子体时，如图15所示，在等离子体生成区域S中存在的上平板227 的表面暴露于强烈的等离子体。当前如图15A所示，由于不存在硅膜的涂敷，仅是由铝构成 的上平板227’，因此铝损耗，发生铝污染。而在本实施方式中，由于如图15B所示，上平板227在铝制的主体271的表面暴露 于等离子体的部分中涂敷有硅膜272，因此因等离子体损耗的是硅膜272，抑制主体271的 铝的损耗。从而能够防止由铝污染引起的对加工的恶劣影响或者上平板被等离子体恶化引 起的加工再现性的下降。另外，通过喷镀，更优选的是等离子体喷镀形成硅膜272，因此能够 比较容易而且廉价地得到厚膜。
如上述日本特开2002-353206那样，如果通过加工单晶硅的整块体构成上平板， 则在成为极其高价的同时不能得到充分的强度，实际上难以实现。另外，虽然也考虑将硅 整块体粘合到主体上形成上平板，然而这种情况下硅整块体与主体之间的缝隙是不可避免 的，在其缝隙中发生异常放电。进而，作为涂敷材料也考虑适用抗等离子体性高的氧化铝或 者氧化钇(yttria)，但是这种绝缘材料容易充电(charge up)，容易局部发生异常放电。与此不同，如本实施方式这样，通过做成在主体271上面形成有硅膜272的上平板 227，能够不发生这样的问题，解决污染的问题。其次，说明使用在铝制主体上形成有硅喷镀膜的上平板的情况下与使用没有形成 喷镀膜的铝制的现有上平板的情况下，将被等离子体处理产生的铝污染进行比较的结果。 这时的硅喷镀利用等离子体喷镀进行，喷镀膜的厚度取为80 μ m。等离子体处理是作为等离 子体气体，以Ar/02/H2 = 1000/50/40 (mL/min (sccm))的流量流过Ar气体、O2气体、H2气体， 将等离子体生成电力取为3400W，将腔内压力取为6. 65Pa(50mTorr)，将处理时间取为201 秒，连续进行11片的处理。图16表示结果。如图16所示，在使用铝制的上平板的情况下，铝污染(Al污染)大于等于 lOnatoms/cm2，对此，在形成有硅喷镀膜的情况下，是比lOnatoms/cm2低的值。另外，这样形 成的喷镀膜与主体的粘贴性良好，不会发生膜剥离等引起的异常放电。另外，在本实施方式中，作为表面暴露于等离子体的部件举出有上平板，说明在其 表面形成硅膜的情况，但是，也可以在表面暴露于等离子体的其它部件例如腔壁上形成硅 膜。另外，在上述实施方式中，作为暴露于等离子体的部件的上平板主体使用铝，而在使用 不锈钢的其它金属的情况下也能够得到同样的效果。而且，在本实施方式中，作为等离子体 处理装置举例说明RLSA方式的等离子体处理装置，但是也能够是例如遥控等离子体方式、 ICP方式、ECR方式、表面反射波方式、磁控管方式等其它的等离子体处理装置，等离子体处 理的内容也没有特别限定，能够将氧化处理、氮化处理、氮氧化处理、成膜处理、蚀刻处理等 各种等离子体处理作为对象。而且，关于被处理体也并不限于半导体晶片，还能够将FPD用 玻璃基板等其它的基板作为对象。另外，在上述第一实施方式中，可以在上平板61等表面暴露于等离子体的部件上 进行硅涂敷，在上述第二实施方式中，可以将升降销的构造以及作为基板载置台的基座的 构造做成与第一实施方式的升降销24、14以及基板载置台主体22、8a相同的构造。以上说明了本发明的实施方式，本发明并不限于上述实施方式，在权利要求范围 中记载的宗旨内能够进行各种变形和变更。另外，只要不脱离本发明的范围，将上述实施方 式的结构要素适当组合起来的方式或者去除上述实施方式的一部分结构要素的方式也在 本发明的范围内。
权利要求
一种基板处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板的处理容器；以及在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，所述基板处理装置用于对所述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子体处理，其中，在所述处理容器内，暴露于等离子体的部位的至少一部分涂敷有硅膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于所述暴露于等离子体的部位通过在金属制主体的表面上涂敷硅膜而构成。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于 所述主体是铝制主体。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜是通过喷镀形成的膜。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜的厚度为1 100 μ m。
6.一种基板处理装置，其特征在于，包括 收容被处理基板的处理容器；在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构；以及 在所述处理容器内暴露于等离子体的部件，所述基板处理装置用于对所述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子体处理， 所述暴露于等离子体的部件具有金属制的主体、以及涂敷在该主体的至少暴露于等离 子体的部位上的硅膜。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于 所述主体是铝制主体。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜是通过喷镀形成的膜。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜的厚度为1 100 μ m。
10.一种基板处理装置，其特征在于，包括 收容被处理基板的处理容器；产生微波的微波产生部；向所述处理容器传播由所述微波产生部产生的微波的导波路径； 设置在所述处理容器的上部，用于将所述微波导入到所述处理容器中的微波导入部； 支撑部件，用于在所述处理容器内以使所述微波导入部面向所述处理容器内的被处理 体的方式对其进行支撑，该支撑部件的一部分至少位于等离子体的生成区域，并具有金属 制的主体，并且至少在其位于所述等离子体生成区域中的部分上涂敷有硅膜；以及将处理气体导入到所述处理容器内的所述微波导入部的正下方位置的处理气体导入 机构，通过利用所述微波在所述处理容器内形成的处理气体的等离子体，对被处理体进行等 离子体处理。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于所述微波导入部具有发射微波的天线、以及使从所述天线发射的微波透过并将其导入 到处理容器内的由电介体构成的透过部件，通过所述支撑部件支撑所述透过部件。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于 所述主体是铝制主体。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜是通过喷镀形成的膜。
14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于 所述硅膜的厚度为1 100 μ m。
15.一种暴露于等离子体的部件，其特征在于在收容被处理基板的处理容器内生成等离子体进行等离子体处理的基板处理装置中， 该部件在所述处理容器内暴露于等离子体中，其包括 金属制的主体；以及涂敷在该主体的至少暴露于等离子体的部位上的硅膜。
16.根据权利要求15所述的暴露于等离子体的部件，其特征在于 所述主体是铝制主体。
17.根据权利要求15所述的暴露于等离子体的部件，其特征在于 所述硅膜是通过喷镀形成的膜。
18.根据权利要求15所述的暴露于等离子体的部件，其特征在于 所述硅膜的厚度为1 100 μ m。
全文摘要
本发明提供一种基板处理装置和暴露于等离子体的部件，该基板处理装置包括收容被处理基板的处理容器；以及在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，所述基板处理装置用于对所述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子体处理，其中，在所述处理容器内，暴露于等离子体的部位的至少一部分涂敷有硅膜。
文档编号H01L21/00GK101847574SQ20101016732
公开日2010年9月29日 申请日期2007年1月31日 优先权日2006年1月31日
发明者山下润, 村冈直, 植田笃 申请人:东京毅力科创株式会社