技术编号:6944725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术例如,在使用CMP抛光设备的半导体制造工艺的CMP(化学机械抛光)步骤中,对 晶片抛光表面进行抛光。在日本特开专利公布No. H9-254018中公开了图11示例的抛光设备。图11示出 的抛光设备配备有抛光台201、用于支撑抛光对象的支撑单元202、整形工具(对应于修整 盘)203、用于喷射水以便清洗或湿润支撑单元202的喷嘴204以及用于喷射水以便清洗或 湿润整形工具203的喷嘴205。喷嘴204、205被设置到抛光台201的一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。