专利名称：抛光设备及抛光方法
技术领域：
本发明涉及一种抛光设备及抛光方法。
背景技术：
例如，在使用CMP抛光设备的半导体制造工艺的CMP(化学机械抛光)步骤中，对 晶片抛光表面进行抛光。在日本特开专利公布No. H9-254018中公开了图11示例的抛光设备。图11示出 的抛光设备配备有抛光台201、用于支撑抛光对象的支撑单元202、整形工具(对应于修整 盘)203、用于喷射水以便清洗或湿润支撑单元202的喷嘴204以及用于喷射水以便清洗或 湿润整形工具203的喷嘴205。喷嘴204、205被设置到抛光台201的一侧、低于抛光台201 上表面的位置处。在清洗或湿润支撑单元202和整形工具203期间，如图11所示，将支撑 单元202和整形工具203移动到抛光台201的一侧、低于抛光台201上表面的位置处。在日本特开专利公布No. 2000-263417中公开了图12示例的抛光设备。该抛光设 备包括抛光台301、位于抛光台301上方的抛光垫302、浆料供应管303、用于支撑晶片304 的支撑单元305、下表面处具有毛刷306的整形器(对应于修整盘)307以及用于清洗毛刷 306的清洗机构308。在该抛光设备处，如图12所示，毛刷306从抛光台301突出，并且在 抛光期间和抛光之后毛刷306从下面通过清洗机构308来清洗。日本特开专利公布No. 2000-263417还公开了图13示例的抛光设备。该抛光设备 配备有抛光台、位于抛光台上方的抛光垫302、浆料供应管303、支撑晶片304的支撑单元 305、下表面处具有毛刷306的整形器307以及用于在高压下喷射水以便清洗毛刷306的喷 嘴309。如图13所示，该抛光设备通过在高压下将水从位于对抛光垫302执行修整的毛刷 306 一侧上的喷嘴309喷射到毛刷306上，来清洗毛刷306。然而，使用日本特开专利公布No. H9-254018的抛光设备(图11)，在每次清洗或湿 润修整盘时都需要将整形工具203移动到抛光台201的一侧的低于抛光台201上表面的位 置处。这意味着为了清洗或湿润需要大量时间来移动整形工具203。在日本特开专利公布No. 2000-263417中，主要在使用与抛光垫302接触的具有图 12或13任一结构的毛刷306进行修整的同时，进行清洗。这意味着当浆料内的固结物质粘 附到毛刷306时，在清洗期间通过毛刷306将固结物质清除到抛光对象(晶片等)的一侧， 并且该固结物质会使抛光对象被划损。因此极难实现为了清洗或湿润修整盘使修整盘移动所需的时间变短以及足够地 抑制在诸如晶片的抛光对象上产生划损的情形。
发明内容
根据本发明，提供有一种抛光设备，其包括在上表面上具有抛光垫的抛光台、在对抛光对象进行抛光时使得抛光对象与抛光垫接触的用于支撑抛光对象的支撑单元、对抛 光垫进行修整的修整盘、向抛光垫上方的待机位置处移动修整盘的移动机构以及向位于待 机位置处的修整盘喷射液体以清洗或湿润修整盘的喷射机构。根据本发明，可以清洗或湿润修整盘，并且可以抑制浆料粘附到修整盘上。因此， 可以抑制由固结物质降落而使晶片产生的划损。在将修整盘移动到抛光垫上方的待机位置的情况下，还可以向修整盘喷射液体并 清洗或湿润修整盘。因此，与在每次清洗或湿润修整盘时将修整盘移动到抛光台一侧的低 于抛光台上表面的位置处的情况(日本特开专利公布NO.H9-254018)相比较，还可以显著 地减少为了清洗或湿润修整盘而移动修整盘所需的时间。与在修整操作期间毛刷与抛光垫 接触以及之后执行清洗的结构(日本特开专利公布No. 2000-263417)的不同点在于避免了 下述问题，即当浆料中的固结物质粘附到修整盘时，在用喷射机构喷射液体时通过修整盘 将该固结物质清除到抛光对象的一侧，并因此在抛光对象上产生划损的问题。因此，可以足 够地抑制在抛光对象上产生划损。因此，还可以实现为了清洗或湿润修整盘而移动修整盘所需的时间变短以及足够 地抑制在诸如晶片的抛光对象上产生划损的情形。根据本发明，还提供一种抛光方法，包括使抛光对象与在抛光台的上表面上提供 的抛光垫接触以便对抛光对象进行抛光；使用修整盘来修整抛光垫，将修整盘移动到抛光 垫上方的待机位置处；以及向位于待机位置处的修整盘喷射液体以便清洗或湿润修整盘。根据本发明，因此可以实现为了清洗和湿润修整盘而移动修整盘所需的时间变短 以及足够地抑制在诸如晶片的抛光对象上产生划损的情形。
从下面结合附图对某些优选实施例进行的描述，使本发明的上述和其他目的、优 势和特征更加明显，其中图1是第一实施例的CMP抛光设备的横截面的正视图；图2是第一实施例的CMP抛光设备的横截面的平面图；图3是示出在清洗第一实施例的CMP抛光设备的修整盘时的情形的正视图；图4是用于第一实施例的CMP抛光设备的控制的框图；图5A、5B和5C是示出抛光操作的时序图；图6是示出当在第二实施例的情况下清洗修整盘时的情形的正视图；图7A和7B是第三实施例的CMP抛光设备的正视图；图8是用于第三实施例的CMP抛光设备的控制的框图；图9是CMP抛光设备的比较示例的横截面的平面图；图10是图9的CMP抛光设备的横截面的平面图；图11是日本特开专利公布No. H9-254018中公开的抛光设备的正视图；图12是日本特开专利公布No. 2000-263417中公开的第一抛光设备的横截面的正 视图；以及图13是日本特开专利公布No. 2000-263417中公开的第二抛光设备的平面图。
具体实施例方式为了容易理解本发明，在描述本发明之前，将参考图9和10详细地说明现有技术。图9和10是示出CMP抛光设备100的比较示例的图，其中，图9是横截面的平面 图，并且图10是横截面的正视图。如图9和10所示，CMP抛光设备100配备有在上表面上具有抛光垫101的抛光台 102、具有固定环105的用于支撑下表面上的晶片104的抛光头103、浆料喷嘴106、修整盘 107以及在顶端支撑修整盘107以便使其摆动的摆动臂108。在由抛光头103支撑的要被抛光的晶片104的表面按压住抛光垫101的情况下， 通过将由浆料喷嘴106流出的浆料滴到抛光垫101上，以及之后围绕抛光头103旋转晶片 104，来实施晶片104的抛光。随着抛光进行，抛光废物(从晶片104、抛光垫101以及固定环105削掉的废物) 或浆料的聚集体等会阻塞在抛光垫101上形成的沟槽或孔，或者会阻塞构成抛光垫101的 材料本身中的毛孔。随着抛光进行，抛光垫101的表面会变得更平滑。因此，作为阻塞抛光 垫101并且抛光垫101的表面变得更平滑的结果，抛光速率随着抛光进行而降低。可以使用一般具有适当金刚石磨粒的修整盘107来进行抛光垫101的修整(所谓 的“刃磨”)，以便抑制抛光速率降低。修整盘107可以被称为“修整器”。在抛光一个晶片104和抛光下一个晶片104之间实施的修整称为“场外修 整” (ex-situ conditioning)。为了不降低CMP抛光设备100的处理效率，与抛光并行执行 的修整称为“原位修整”(in-situconditioning)。然而，浆料包含诸如硅石的磨粒。因此，该磨粒将会粘附到修整盘107。然后，当该 固结物质开始脱离修整盘107并且降落到抛光垫101上时，这会导致在晶片104上产生划 损(抛光瑕疵)。考虑这些问题的技术是例如日本特开专利公布No. H9-254018和No. 2000-263417 的技术。然而，使用日本特开专利公布No. H9-254018和No. 2000-263417的技术极难实现 为了清洗或湿润修整盘而移动修整盘所需的时间变短以及足够地抑制在诸如晶片的抛光 对象产生划损的情形。现在，参考示例性实施例在这里将描述本发明。本领域的技术人员应意识到，使用 本发明的教导可以实现许多可替选的实施例，并且本发明不限制于为说明目的而示例的实 施例。参考附图，下面将说明本发明的实施例。注意，在全部附图中将用相同的附图标记 或符号来表示任何相似的组件，因此将不再重复说明。[第一实施例]图1是第一实施例的CMP抛光设备1的横截面的正视图，图2是CMP抛光设备1 的横截面的平面图，图3是示出在清洗CMP抛光设备1提供的修整盘4时的情形的正视图， 图4是CMP抛光设备1的控制的框图，以及图5A、5B和5C是示出由CMP抛光设备1执行的 抛光操作的时序图。该实施例的抛光设备(例如，CMP抛光设备1)包括，在上表面具有抛光垫2的抛 光台3、当对抛光对象(例如，晶片9)进行抛光使得抛光对象与抛光垫2接触时用于支撑 抛光对象的支撑单元(抛光头7)、用于对抛光垫2进行修整的修整盘4、能够将修整盘4移动到抛光垫2上方的待机位置W处的移动机构(包括，例如摆动臂5、修整盘摆动致动器21 以及修整盘升降致动器22)以及用于清洗或湿润修整盘4的用于向处于待机位置W处的修 整盘4喷射液体(例如，清洗水)的喷射机构(包括，例如，清洗水喷嘴6和清洗水供应致 动器27)。该实施例的抛光方法提供有，使抛光对象(例如，晶片9)与在抛光台3的上表 面上提供的抛光垫2接触以便对该抛光对象进行抛光；使用修整盘4修整抛光垫2，将修整 盘4移动到抛光垫2上方的待机位置W处；以及向处于待机位置W处的修整盘4喷射液体 (例如，清洗水)，以便清洗或湿润修整盘4。下面将提供详细的说明。首先，说明CMP抛光设备1的构造。如图1和2所示，CMP抛光设备1包括在上表面具有抛光垫2的抛光台3、修整盘 4、摆动臂5、清洗水喷嘴6、抛光头7和浆料喷嘴8。抛光头7具有在下表面处支撑晶片9的固定环10。浆料喷嘴8使浆料流出到抛光 垫2上。修整盘4用于修整(所谓的刃磨)抛光垫2。摆动臂5在其顶端支撑修整盘4。通过在修整盘4与抛光垫2接触的情况下在沿 着图2的箭头A方向上摆动，在修整盘4保持与抛光垫2相接触的情况下，摆动臂5能够沿 着箭头A方向的弧移动修整盘4。即，摆动臂5能够使与抛光垫2接触的修整盘4从抛光垫 2的中央部移动到抛光垫2的边缘部。摆动臂5还能够在例如抛光垫2的边缘部处在图1的箭头B方向上升高和降低修 整盘4。因此，通过升高修整盘4，可以将修整盘4移动到图1示出的待机位置W处。S卩，在 该实施例的情况下，用于修整盘4的待机位置W例如位于抛光垫2的边缘部上方。例如，摆动臂5还能够在待机位置W处的板面方向(图1中的箭头C的方向)上 旋转修整盘4。就是说，修整盘4围绕着穿过修整盘4的中心的轴旋转，该轴与修整盘4的 板表面正交。甚至在修整期间摆动臂5也能够旋转修整盘4。该旋转操作通过提供有摆动 臂5的修整盘旋转致动器23 (后面描述的)来实施。清洗水喷嘴6位于靠近抛光台3的抛光台3的一侧，并且它还位于靠近待机位置 W处的位置。例如，如图3所示，清洗水喷嘴6通过从抛光台3的一侧向位于待机位置W处 的修整盘4向上倾斜地喷射清洗水(液体)来清洗修整盘4。清洗水喷嘴6的喷射出口 6a 向抛光台3倾斜且面朝上倾斜以便能够向上倾斜喷射清洗水。优选设置喷射出口 6a的倾 斜角使得清洗水不超过待机位置W处的修整盘4在抛光台3的中心侧上的端部，以便使其 不溅落到抛光垫2上。优选设定用于供应清洗水的设定(水量、水压)，使得清洗水不过量 地溅落到抛光垫2上，以便使抛光速率不会降低。例如，当修整盘4位于待机位置W时，仅 实施从清洗水喷嘴6喷射清洗水。例如，如图3所示，在该实施例的情况下，待机位置W处的修整盘4的中心位于抛 光垫2上方。具体地，在待机位置W处整个修整盘4位于抛光垫2上方。向抛光垫2上的抛光区域(对由抛光头7支撑的晶片9进行抛光的区域)飞出的 清洗水会使抛光速率降低。因此，根据修整盘4的待机位置W，适当地设定清洗水的喷射方 向。在该实施例的情况下，如图3所示，修整盘4的中心位于抛光垫2上方，但在这种情况 下，可以仅清洗自修整盘4中心的外侧上的部分。即，清洗水喷嘴6仅将清洗水喷射到修整 台4的下述部分上，其中所述部分是距抛光台3的中心的距离等于或长于抛光台3的中心与修整台4的中心之间的距离的部分。修整盘4还在待机位置W处旋转。这意味着使用清 洗水通过仅将清洗水喷射到上述部分上，能够清洗修整盘4的整个表面。对于除抛光台3上的边缘部以外的部分(比边缘部更接近于中心的部分)，优选实 施用抛光头7对晶片9进行抛光。在清洗期间修整盘4位于抛光台3上方。因此，清洗水 从修整盘4落到抛光台3上，但是清洗水仅落在抛光台3的边缘部上。这意味着不会损害 在比抛光台3的边缘部更接近抛光台3的中心的位置处对晶片9的抛光。如图4所示，CMP抛光设备1包括控制单元20和在控制单元20的控制下操作的 各种致动器21至28。其中，修整盘摆动致动器21包括例如电动机，并且沿着水平面(沿 图1和2的箭头A方向)使摆动臂5摆动。修整盘升降致动器22包括例如电动机，并且使 修整盘4垂直向上和向下(图1中箭头B的方向)。修整盘旋转致动器(旋转机构)23包 括例如电动机，并且使修整盘4在板方向(图1和3中的箭头C的方向)上旋转。在该实 施例的情况下，修整盘4在水平面内旋转。抛光台旋转致动器24包括例如电动机，并且使 抛光台3在水平面内(在图1的箭头D的方向上旋转)旋转。抛光台升降致动器25由例 如电动机组成，并且使抛光头7垂直向上和向下(在图1中的箭头E的方向上)。抛光头 旋转致动器26由例如电动机组成，并且使抛光头7在水平面内(在图1的箭头F方向上旋 转)旋转。清洗水供应致动器27由例如泵或电动机组成，并且从清洗水喷嘴6的喷射出口 6a喷射清洗水。浆料供应致动器28由例如泵或电动机组成，并且将浆料从浆料喷嘴8流出 (滴)到抛光垫2上。控制单元20包括用于实施各种控制处理的CPU(中央处理器)、存储 用于CPU操作的程序的ROM(只读存储器)以及用作用于CPU的工作区域等的RAM(随机存 取存储器)。控制单元20实施控制致动器21至28中的每一个的操作。现在描述该操作。在用抛光头7的固定环10支撑晶片9的情况下，通过使抛光头7降低以使得晶片 9按压住抛光垫2，来实施对晶片9的抛光。然后，将浆料从浆料喷嘴8滴到抛光垫2上，并 且使抛光头7和抛光台3旋转。通过降低修整盘4以使其按压住抛光垫2并旋转修整盘4，来实施通过修整盘4 对抛光垫2的修整操作。在修整操作期间，通过沿着图1和2的箭头A方向(例如，往复移 动)移动修整盘4，可以在抛光垫2的整个表面上实施修整。这是因为抛光台3正在旋转。 这样，可以通过实施与抛光操作并行的修整操作，来实施原位修整。在修整操作之后，将修整盘4移动到待机位置W处的情况下，通过从清洗水喷嘴6 在修整盘4的方向上喷射清洗水，来实施修整盘4的清洗。参考图5A、5B和5C的时序图，描述用于修整操作和清洗操作的特定时序的示例。 在图5A、5B和5C中，水平轴是时间。例如，当修整盘4仅在抛光操作的后期中在待机位置W处待机时，如图5A所示，在 抛光同时开始修整操作之后，修整操作首先终止。然后，当将修整盘4移动到待机位置W时， 从清洗水喷嘴6喷射清洗水并且修整盘4被清洗。此后，终止抛光操作和清洗操作。当修整盘4在抛光操作期间间歇地重复待机时，该时序图如图5B所示。当修整盘 4在抛光操作期间仅一次进入待机时，该时序图如图5C所示。在上文中，说明了其中通过喷射机构喷射清洗水以便清洗修整盘4，而不是使用加 压喷射清洗水来清洗修整盘4，也可以执行喷射(例如，喷射薄雾)以便湿润(吸湿)修整盘4。根据第一实施例，提供了在上表面上具有抛光垫2的抛光台3、在抛光期间使晶片 9与抛光垫2接触的支撑晶片9的抛光头7、用于修整抛光垫2的修整盘4、能够将修整盘4 移动到抛光垫2上方的待机位置W的摆动臂5以及用清洗水喷射位于待机位置W的修整盘 4并清洗或湿润修整盘4的清洗水喷嘴6。因此，可以清洗或湿润修整盘4并且抑制使浆料 粘附到修整盘4。因此，可以抑制由固结物质的降落而使晶片9产生的划损。在将修整盘4移动到抛光垫2上方的待机位置W的情况下，还可以使用液体喷射 修整盘4以便清洗或湿润修整盘4。因此，与在清洗或湿润修整盘4时每次将修整盘4移动 到抛光台3 —侧的位于抛光台3的上表面下方的情况(日本特开专利公布No. H9-254018) 相比较，基本可以缩短为了清洗或湿润修整盘4而移动修整盘4所需的时间。另外，即使浆料的固结物质粘附到修整盘4，当通过清洗水喷嘴6喷射清洗水时， 通过修整盘4也不会将该固结物质清扫到晶片9的一侧，并且避免了在晶片9上产生划损 的问题。因此，可以足够地抑制在晶片9上产生划损。这意味着可以缩短为了清洗或湿润修整盘4而移动修整盘4所需的时间，并且可 以足够地抑制在晶片9上产生划损。修整盘4还处于抛光台3上方的待机位置。这意味着在清洗或湿润修整盘4之后 可以抑制开始修整的延迟。即，甚至当例如修整操作相对于抛光操作的占空比高以及修整 盘4处于待机的频率也高时(例如，如图5B所示，当在一系列抛光操作期间重复待机时)， 可以抑制修整操作的延迟。待机位置W处于抛光垫2的边缘部上方。因此，可以使喷射的清洗水对抛光的影 响保持最小。处于待机位置W的修整盘4在板表面方向上旋转。因此，通过仅将液体喷射到修 整盘4的自抛光台3的中心的距离等于或大于抛光台3的中心与修整盘4的中心之间的距 离的部分上，可以清洗或湿润修整盘4的整个表面。因此，可以使喷射的清洗水对抛光的影 响非常小。当修整盘4处于待机位置W时，清洗水喷嘴6仅喷射清洗水。因此，可以减少清洗 水的浪费，并且可以减少溅落到抛光垫2上的清洗水的量。另外，清洗水喷嘴6位于抛光台3的一侧并且倾斜向上地喷射清洗水。这意味着， 即使清洗水喷嘴6被设置成不干涉抛光台3和抛光垫2，也可以向修整盘4喷射清洗水。在日本特开专利公布No. 2000-263417中，图12和13的这两个图中的构造没有公 开、也没有提出用于移动整形器307的机构。这意味着，如果整形器307的直径不是至少大 于抛光台301的半径，则利用图12的抛光设备不能实施抛光台302的中央部的修整。这是 因为必须从抛光台301撤回毛刷306。因此，限制了整形器307的尺寸。类似地，如果整形 器307的直径基本上不等于抛光台301的半径，则利用用图13的抛光设备也不能修整抛光 垫302的整个表面。这设置了对整形器307直径的限制。关于这方面，在本实施例中，摆动 臂5能够将修整盘4从抛光垫2的中央部移动到边缘部。因此，不需要使修整盘4的直径 为至少抛光台3的半径，并且也不需要使它与抛光台3的半径基本相同。这使得可以确保 修整盘4具有尺寸的自由度。具体地，例如，优选尺寸小于抛光台3的半径的修整盘4。[第二实施例]
图6是示出在第二实施例的情况下清洗修整盘4时的情形的正视图。在上述的第一实施例中，说明了其中整个修整盘4在待机位置W处位于抛光垫2 上方的示例，如图1和3所示。然而，在第二实施例中，修整盘4的一部分在待机位置W处 位于抛光垫2的外侧，如图6所示。具体地，例如，如图6所示，修整盘4的中心在待机位置W处位于抛光垫2的外侧。 在这种情况下，优选清洗在修整盘4处的位于抛光垫2外侧的部分。修整盘4也在待机位 置W处旋转。这意味着，通过仅在该部分上喷射清洗水，利用清洗水能够清洗修整盘4的整 个表面。根据第二实施例，修整盘4的一部分在待机位置W处位于抛光垫2的外侧。因此， 可以使喷射的清洗水对抛光的影响保持最小。另外，当修整盘4的中心在待机位置W处位 于抛光垫2的外侧时，也可以使喷射的清洗水对抛光的影响显著变小。[第三实施例]图7A和7B是第三实施例的CMP抛光设备(抛光设备)30的正视图，并且图8是 CMP抛光设备30的控制的框图。在该实施例的情况下，如图7A和7B所示，调整修整盘4在待机位置W处的姿态， 使得修整盘4的下表面在待机位置W处面向抛光台3的横向方向(向侧面)。作为使修整 盘倾斜致动器(移动机构)29在控制单元20的控制下经由摆动臂5使修整盘4倾斜的结 果，实施姿态的调整。修整盘倾斜致动器29包括例如电动机。当修整盘4位于待机位置W时或当修整盘4达(上升)到待机位置W的中间时， 可以实施使修整盘4倾斜的修整盘倾斜致动器29的操作。在该实施例的情况下，处于倾斜 姿态的修整盘4，例如，通过修整盘旋转致动器23旋转。根据第三实施例，移动机构(例如，由摆动臂5、修整盘摆动致动器21、修整盘升降 致动器22以及修整盘倾斜致动器29构造)在待机位置W中调整修整盘4的姿态，使得修 整盘4的下表面面向抛光台3的横向方向。因此，对于从清洗水喷嘴6喷射的清洗水更容 易冲击修整盘4，并且能够以更适当的方式进行对修整盘4的清洗或湿润。因此，与第一实 施例相比较，可以使修整盘4的中心位置更远于抛光垫2的中心，并且能够进一步减小喷射 的清洗水对抛光的影响。在上述实施例的每个中，说明了作为抛光设备的CMP抛光设备1和30，但本发明还 可以应用到除了 CMP抛光设备以外的抛光设备。抛光对象也可以是除了晶片9以外的其他 对象。还说明了喷射机构用清洗水喷嘴6示范并且清洗水以液体喷射，但也能够喷射除了 水以外的洗涤液或喷射湿润剂。
权利要求
一种抛光设备，包括抛光台，所述抛光台具有在上表面上的抛光垫；支撑单元，所述支撑单元用于对抛光对象进行抛光时支撑所述抛光对象，使得所述抛光对象与所述抛光垫接触；修整盘，所述修整盘实施对所述抛光垫的修整；移动机构，所述移动机构使所述修整盘向所述抛光垫上方的待机位置移动；以及喷射机构，所述喷射机构向位于所述待机位置处的所述修整盘喷射液体，以便清洗或湿润所述修整盘。
2.根据权利要求1所述的抛光设备，其中所述待机位置在所述抛光垫的边缘部分的上方。
3.根据权利要求2所述的抛光设备，其中所述修整盘的一部分在所述待机位置处位于 所述抛光垫的外侧。
4.根据权利要求1所述的抛光设备，还包括旋转机构，所述旋转机构在板面方向上旋 转位于所述待机位置的所述修整盘，其中，所述喷射机构仅将所述液体喷射到所述修整盘的下述部分上，其中所述部分是 距所述抛光台的中心的距离等于或长于所述抛光台的所述中心与所述修整盘的中心之间 的距离的部分。
5.根据权利要求1所述的抛光设备，其中所述移动机构调节所述修整盘在所述待机位 置处的姿态，使得在所述待机位置处所述修整盘的下表面面向所述抛光台的横向方向。
6.根据权利要求1所述的抛光设备，其中仅当所述修整盘位于所述待机位置处时，所 述喷射机构才喷射所述液体。
7.根据权利要求1所述的抛光设备，其中所述喷射机构处于所述抛光台的侧面，并且 倾斜向上地喷射所述液体。
8.根据权利要求1所述的抛光设备，其中在与所述抛光垫接触的状态下，所述移动机 构能够将所述修整盘从所述抛光垫的中部移动到所述抛光垫的边缘部分。
9.一种抛光方法，包括使抛光对象与在抛光台的上表面上提供的抛光垫接触，以便对所述抛光对象进行抛光；使用修整盘来修整所述抛光垫；将所述修整盘移动到所述抛光垫上方的待机位置；以及向位于所述待机位置处的所述修整盘喷射液体，以便清洗或湿润所述修整盘。
全文摘要
本发明提供一种抛光设备及抛光方法。该抛光设备，包括抛光台，所述抛光台具有在上表面上的抛光垫；修整盘，所述修整盘实施对抛光垫的修整；移动机构(例如，由摆动臂来构造)，所述移动机构能够将修整盘移动到抛光垫上方的待机位置；以及喷射机构(例如，由清洗水喷嘴来构造)，所述喷射机构向位于待机位置的修整盘喷射液体，以便清洗或湿润修整盘。
文档编号H01L21/304GK101898328SQ20101017003
公开日2010年12月1日 申请日期2010年4月27日 优先权日2009年4月27日
发明者伊藤修, 吉田茂之, 白谷昌史 申请人:瑞萨电子株式会社