技术编号：6945202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及C-V线性得以改善的压变电容器以及构造改善的压变电容器的方法。众所周知，压变电容器(VVC)是使用标准半导体工艺和技术制成的。总体而言，半导体层是通过在衬底的表面上构成掺杂层而形成的。然后，在掺杂层的表面上形成绝缘层，并通过在绝缘层上放置两个彼此隔开的金属板形成一对RF电容器。每个金属板与下层的半导体层都构成一个电容。两个分开放置的金属板是VVC的I/O接点，且两个电容器的另一极板连在一起，通过半导体层接到衬底的后部。VVC接入电路的方式如下在衬...
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