技术编号:6945698
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设计及制造,特别涉及一种能够增大沟道应力的半导体结构及其形成方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,对CMOS(互补型金属氧化物半导体)器件的特征尺寸及性能的要求越来越高,将应变沟道(strained channel)运用于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中可提高器件性能,但是随着集成电路密度的增加及间距的减小,应变沟道也很难提供足够大的应力以满足器件的性能需求。在美国专利申请 US20090309163 (Al)-2009-1...
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