技术编号:6946328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。总体而言,本发明的示例性实施例涉及,更具体而 言,涉及能够减小控制栅的晶粒尺寸的。背景技术非易失性存储器件包括大量用于储存数据的存储单元。以NAND快闪存储单元为 例进行说明。NAND快闪存储单元具有层叠结构,这种层叠结构包括用于电子隧穿的栅绝缘 层、用于储存数据的浮置栅、用于耦合的电介质层、以及用于传递驱动电压的控制栅。随着非易失性存储器件的集成度不断提高,存储单元的尺寸减小,并且因此,相邻 的存储单元之间的间隙变窄。具体地,随着存储单元之间的间隙减小,...
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