技术编号：6946329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路，且特别涉及一种多晶硅电阻器的集成电路。 背景技术精密多晶硅电阻器(precise polysilicon resistor)已使用于传统的集成电路中。当 半导体元件(例如金属氧化物半导体场效应晶体管(meta卜oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET))随着技术节点(node)不断下降的同时，会采用高介电常数材料和 金属作为栅极堆叠结构。对于栅极取代工艺(gate rep...
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