技术编号:6946460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及半导体纳米阵列结构器件(如太阳能电池、LED、光电探测器、激光器等)的制作工艺。背景技术随着半导体技术的不断发展,工艺加工水平的不断提高,纳米尺度的器件受到普 遍的重视,包括以纳米阵列结构为基础的太阳能电池、LED、光电探测器、激光器等。与薄膜器件相比,纳米阵列结构的器件有许多优点。采用纳米阵列结构,能增大器 件的表面积,释放应力,减少晶格失配、终止位错。此外,对于LED,采用纳米阵列结构,能有 效提高出光效率,从而提高光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。