技术编号：6946620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子新材料与器件，特别涉及一种基于锆钛酸铅(PZT)和 高介电常数薄膜(简称高K介质薄膜)的铁电动态随机存储器(FEDRAM)的制备技术。背景技术铁电材料具有自发极化且自发极化能随外加电场而取向，去掉外电场后，铁电 材料的极化可以处于大小相等、方向相反的两个剩余极化(士P》状态，这两种稳定的极 化状态可以在外电场的作用下实现“1”和“0”状态之间的转换，因而可作为存储器的 二进制代码。由于不需要依靠外电场来保持记忆，因此，早在1952年，And...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。