技术编号：6947317
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体组件及其制作方法，特别涉及一种。背景技术功率金氧半导体晶体管(power MOS transistor)组件由于具有高电压高电流的导通特性，因此特别容易受到静电放电脉冲(ESD pulse)的伤害。特别是由于现今的集成电路工艺中为了获得较低起始电压，功率金氧半导体晶体管组件的栅极氧化层的厚度必须加以薄化，在此要求下，功率金氧半导体晶体管组件极易受到因摩擦或其它无法控制的因素所产生的静电放电脉冲的伤害而受损。因此，在功率金氧半导体晶体...
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