技术编号:6948056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体,且特别是有关于功率金属-氧化层-半导体晶体管、 其制造方法及使用方法。背景技术侧向式双重扩散的金属-氧化层-半导体(LDMOS)场效晶体管(MOSFET)是一种被制造成具有共面的漏极与源极区的M0SFET。具有P通道的LDMOS装置可被称为LDPMOS 装置。这些装置通常被使用于高电压应用,且当设计这种LDPMOS装置时,很重要的是让此装置具有很高的崩溃电压(BVD),同时在操作期间也显现出低特定导通电阻(R。nsp)。通过设计具...
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