技术编号:6948401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法,属于微电 子与固体电子学。背景技术随着微电子技术的迅猛发展,高性能、高集成度、多功能IC的研发对材料的要求 越来越苛刻,绝缘体上的硅(Silicon-on-insulator SOI)材料是新型硅基集成电路材料, 被誉为“21世纪的新型硅基集成电路技术”,与体硅相比,SOI具有无闩锁、高速、低压、低功 耗和抗辐照等优点。另外伴随着器件特征尺寸的不断减小,为保证栅对沟道有很好的控制 能力,SiO...
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