技术编号：6948493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，更具体地，涉及其中使用 FinFET (鳍式场效应晶体管)的非易失性存储器件及其制造方法。背景技术非易失性存储器(Nonvolatile Memory, NVM)由于可以在断电状态下保持数据信息而有着广泛的应用。典型的非易失存储器包括含有浮栅的MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，利用浮栅中存储的电荷数量的不同来表示数字0或1。通常，非易失性存储器按照将多个单元以阵列排列的方式来设置，以提供所需的存储容...
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