技术编号:6948495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体地,涉及一种新颖的,特别是一种高性能III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制作方法。背景技术已经证实,沟道中的应变可以显著影响金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 中载流子的迁移率。例如,沿沟道的压缩应力有助于改善PFET (ρ型场效应晶体管)的性能, 而沿沟道的拉伸应力有助于改善nFET(n型场效应晶体管)的性能。对于pFET,形成嵌入在源/漏区中的SiGe已经被证明能够在沟道中有效引入压缩应力并...
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