技术编号:6949433
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是,涉及阻变式半导体存储装置 及其制造方法。背景技术就半导体存储装置而言,已知具有各种结构的半导体存储装置,如动态随机存取 存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。另外,就非挥发半导体存储装置而言,已知 具有各种结构的半导体存储装置。非专利文件 1(K. Aratani et al. , Proceeding of 2007 IEEE International Electron Devices Meeting pp.787 t...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。