技术编号:6949440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,具体涉及一种发光二极管的外延片及其制造方法, 特别涉及。背景技术氮化镓发光二极管(GaN LED)作为实现固态照明的核心器件,自问世以来其技术发展很快,但是为了快速推广固态照明的应用,仍然需要在大幅度降低生产成本同时提高 GaN LED的性能。自从美国的旭明光电(SemiLEDs)推出基于激光剥离技术而实现的垂直结构LED芯片以来,目前已证明垂直结构LED芯片具有非常优秀的电流扩展特性、优良的散热效果、良好的抗静电能力,以及很高的外量子效...
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