技术编号:6950105
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种NVM(Non Volatile Memory,非易失性存储器),特别是涉及一种 MTP (Multi-Time Programmable,可多次编程)的 NVM 器件。背景技术请参阅图1,这是一种现有的MTP器件的单元结构。其中包括选择晶体管10、编程晶体管20和擦除晶体管30,分别位于η阱14、η阱Μ、η阱34中。选择晶体管10的源极 11作为漏端BL,选择晶体管10的栅极12作为选择端SG,选择晶体管10的漏极13与编程晶体管20的源极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。