技术编号:6950627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例涉及非易失性存储器件,更具体而言,涉及三维。背景技术在具有诸如三维闪存的U形非易失性存储器件的存储串结构中,源选择栅和漏选择栅形成在存储串之上。相比于其中将选择栅形成在存储串之上和之下的垂直串结构,就器件特征而言,这种U形存储串是期望的。为了操作这种U形存储串,使用晶体管来使选择栅与底部电耦合。所述晶体管被称为管沟道晶体管(Pipe Channel Transistor).经由源极和漏极而彼此耦合的两个串通过管沟道晶体管彼此电耦合。为了...
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