技术编号:6950654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地涉及包括竖直沟道晶体管的半导 体器件的制造方法。背景技术由于半导体器件的集成度增加,晶体管的沟道长度已经逐渐减小。然而,晶体管的 沟道长度的减小会引起例如漏极引发势垒降低(DIBL)现象、热载流子效应和击穿现象等 短沟道效应。为了避免短沟道效应,已经提出各种方法。这些方法的实例包括降低接面区 域的深度的方法或者通过在晶体管的沟道区域中形成凹陷部来增加沟道长度的方法。然而,随着半导体存储器件(具体地说为DRAM)的集成密度逐渐增加至千兆位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。