技术编号:6950925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容总体涉及高压器件结构的领域。 背景技术高压场效应晶体管(HVFET)在半导体领域是广为人知的。许多HVFET采用了包括 扩展漏极区的器件结构,所述扩展漏极区在器件位于“截止”状态时承受或“阻塞”所施加的 高电压(例如,200伏或更大)。此类HVFET通常用于功率转换设备,诸如用于离线式电源、 电机控制等的AC/DC转换器。这些器件可以在高电压上切换,并在截止状态实现高阻塞电 压,而在“导通”状态最小化对电流的阻抗。典型的HVFET的扩展漏极区通常...
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