技术编号：6951221
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及栅极电极和源极电极具有沟槽结构的。 背景技术作为功率元件的功率半导体装置，通过并联连接同一结构的许多单位单元(unit cell)，实现高速切换、高电流密度导致的导通时电阻(以下，有时称为“导通电阻”)的降 低、以及高破坏耐受量等的特性。在功率半导体装置的开发中，以导通电阻的降低等作为目 的，功率半导体装置的小型化(miniaturization)不断发展。特别是在低耐压的功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor F...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。