技术编号:6951904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺,特别涉及。 背景技术随着半导体器件关键尺寸的不断缩小,工艺上必须考虑热效应,即温度对于半导体器件电学性能的影响。因此,现在半导体制造工艺中使用化学气相沉积(CVD)方法代替炉管氧化法来形成半导体器件中的各种膜层结构。化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。其优点是可以在较低温度下实现大面积薄膜的生长。但是,与炉管氧化法相比,化学气相沉积法具有其缺点,即化...
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