技术编号:6952047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,且特别与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)技术有关。背景技术硅互补式金属氧化物半导体(Silicon CMOS)装置技术已将元件尺寸(device dimension)缩小至少一个数量级,且预期在十年内持续缩小至次5纳米范围(sub-5nm range) 0不断演进的工艺技术使得元件尺寸愈来愈小。然而,元件尺寸的缩小却会使电路 与系统层级的设计面临重大挑战,包括电源电位(power supply voltage)下降、漏电流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。