技术编号：6952177
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子领域，尤其涉及到一种基于碳化硅结型场效应晶体管结构的β 射线辐照探测器，可用于核能中β射线电离辐射探测领域。背景技术半导体辐射探测器是继气体探测器，闪烁体探测器之后发展起来的一种新型的先 进的探测器。其基本原理是采用半导体工艺，如蒸发，扩散，离子注入等，在半导体基片上， 通过在反向偏压的工作条件下制成较厚的耗尽层或扩散区，用来探测入射射线或带电粒 子。现有的半导体辐射探测器都是基于Si，GaAs材料的二极管和PIN管等结构，主要用在 探测α...
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