技术编号：6952857
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示范实施例涉及半导体装置的制造，具体地，涉及一种使用间隔物图案 化技术制造半导体装置的方法。背景技术对高容量的半导体存储装置的需求日益增加，因此增加这些半导体存储装置的集 成密度为人们所关注。为了增加半导体存储装置的集成密度，已经采用许多不同的方法，以 通过减小晶片尺寸和/或改变单元结构而在单一晶片上形成多个存储单元。对于通过改 变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试通过改变有源区的平面布置或改变单 元布局来减小单元面积。这些方法之一将有源...
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