技术编号:6953028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别是涉及一种锗硅异质结双极晶体管。 背景技术随着锗硅(SiGe)工艺的日益成熟,射频电路集成也越来越普遍,射频接受、射频发射以及开关等都趋向集成,因此放大接受信号的低噪声放大器(LNA)和放大发射信号的功率放大器(PA)都应制作在同一芯片上,因此要求在同一套SiGe工艺平台上仅改变版图即可设计出高击穿电压的高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),以满足不同放大器的需求。现有的高压SiGe HBT是采用在Si(ie ...
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