技术编号：6953621
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有由例如氮化物半导体的化合物半导体组成的通道层(channel layer)和电子供体层的。背景技术AlGaN/GaN FET (场效应晶体管)是一种使用AlGaN/GaN异质结(氮化物半导体) 和GaN层作为通道层的化合物半导体装置，近年来已被大力开发，一般地如在日本公开专 利公布第2007-329483号、第2008-270521号和第2008-270794号，以及国际公布小册子第 W02007/108055号中所述。GaN的特征在于其宽带...
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