技术编号:6953622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体装置,特别涉及鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistors ; finFETs)及其形成方法。背景技术半导体集成电路(integrated circuit ;IC)工业已历经快速成长。在集成电路 的材料与设计等方面的技术上的进步,使得在每个集成电路的世代制造出比前一个世代还 小、并更复杂的电路。例如,半导体工业热烈地致力于存储单元(memory cell)的尺寸缩减。 而其中已进行的一项策略是使用多重栅极晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。