技术编号:6953669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术对于如DRAM等半导体器件的情况,随着集成度的增加,器件所占的面积不断减 小,同时还需要维持或增加所需电容量。一般来说,有几种方法来确保在有限的面积中具有 足够的单元(cell,又称为晶胞)电容量,这些方法包括使用高介电材料作为介电膜、减小 介电膜的厚度或增加底部电极的有效面积。使用高介电材料的方法需要实物投资和时间投 资,如新设备的引进、介电膜的可靠性、产率核查的必要性以及后续工序的低温条件。因此, 由于以前使用的介电膜可被继续...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。