技术编号:6954288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思的示例性实施例涉及半导体器件,例如,能够根据导电-绝缘转变特 性存储数据的非易失性存储器器件。本发明构思的示例性实施例还涉及非易失性存储器器 件的制造方法和操作方法。背景技术虽然常规半导体器件的尺寸已经得到可观地减小,但是半导体器件处理的数据量 也有所增加。因此,用在半导体器件中的非易失性存储器器件的操作速度和集成密度需要 提尚。当使用具有多层结构的非易失性存储器器件时,在与具有单层结构的非易失性存 储器器件所占用的尺寸具有相同尺寸的空间中,可以...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。