技术编号:6954991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是半导体器件,本发明特别涉及包括多个存储器单元的存 储器器件。本发明更特别的涉及由具有浮体的场效应晶体管FET形成的存储器单元以及包 括多个这种存储器单元的存储器阵列。背景技术图1显示传统的浮体DRAM(动态随机存取存储器)存储器单元的剖视图。传统的浮体DRAM单元形成在包括硅薄膜3的绝缘体上硅(SOI)衬底中,硅薄膜3 通过埋入氧化物层(BOX) 2与基衬底1分开。浮体4、源极区5和漏极区6形成在BOX 2上 的薄膜3中。栅极介电层7和栅极电...
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