技术编号:6955253
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体而言,涉及一种集成沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench M0SFET)和肖特基二极管(Schottky diode)的。背景技术在当今的电子器件中,多重供电被广泛使用。例如在一些应用中,中央处理单元被设计成在特定时间根据计算负载而具有不同供给电压的方式来工作。因此,直流/直流变流器(DC/DC convert)被用来满足电路的宽范围供电需求。直流/直流变流器通常采用沟槽型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)实现的高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。