技术编号:6955470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),更确切地说,是交错超级 结器件及其制备过程。背景技术功率MOSFET典型应用于需要功率转换和功率放大的器件中。对于功率转换器件 来说,市场上可买到的代表性的器件就是双扩散MOSFET (DM0SFET)。在一个典型的晶体管 中,大部分的击穿电压BV都由漂流区承载,为了提供较高的击穿电压BV,漂流区要低掺杂。 然而,低掺杂的漂流区会产生高导通电阻&s-。n。对于一个典型的晶体管而言,1,与阶2 ...
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